[發(fā)明專利]導(dǎo)電膜及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010164554.7
• 申請日: 2010-05-06
• 公開（公告）號: CN102237153A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 裴紹凱
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/04;H01B1/02;H01B13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種導(dǎo)電膜及一種該導(dǎo)電膜的制造方法。

背景技術(shù)

碳納米管因具有導(dǎo)電性而被應(yīng)用在導(dǎo)電領(lǐng)域。而碳納米管在該領(lǐng)域的具體應(yīng)用形式為導(dǎo)電膜。現(xiàn)有的使用碳納米管的導(dǎo)電膜包括網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的碳納米管薄膜，但是，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的碳納米管薄膜存在網(wǎng)洞，因此，現(xiàn)有的使用碳納米管的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電率較低。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種可提高導(dǎo)電率的導(dǎo)電膜及一種該導(dǎo)電膜的制造方法。

一種導(dǎo)電膜，其包括碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層及多個納米導(dǎo)電粒子，該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層具有多個網(wǎng)洞，該多個納米導(dǎo)電粒子填充該多個網(wǎng)洞。

一種上述導(dǎo)電膜的制造方法，其包括：

提供基板及碳納米管薄膜；

將該碳納米管薄膜設(shè)置在該基板上以形成碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層，該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層具有多個網(wǎng)洞；

將該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層的溫度保持在7至9攝氏度范圍內(nèi)，并向該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層加入納米導(dǎo)電粒子水溶液并使該水溶液分散于該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層，該納米導(dǎo)電粒子水溶液包括多個納米導(dǎo)電粒子；及

使該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層的溫度上升至24至26攝氏度范圍內(nèi)并干燥該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層，使該多個納米導(dǎo)電粒子填充該多個網(wǎng)洞以得到該導(dǎo)電膜。

上述導(dǎo)電膜，通過在碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層的網(wǎng)洞填充納米導(dǎo)電粒子，提高了導(dǎo)電率。

上述導(dǎo)電膜的制造方法，利用碳納米管在25攝氏度附近時疏水的特性及在8攝氏度附近時親水的特性來使納米導(dǎo)電粒子填充至網(wǎng)洞中，以達到提高導(dǎo)電率的效果。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施方式提供的一種導(dǎo)電膜的部分示意圖。

圖2A至2B為圖1中導(dǎo)電膜的制造方法的示意流程圖。

主要元件符號說明

導(dǎo)電膜??????????????????????????100

碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層??????????????10

納米導(dǎo)電粒子????????????????????20

網(wǎng)洞????????????????????????????102

基板????????????????????????????200

紫外線硬化樹酯層????????????????300

涂布工具????????????????????????400

固定軸??????????????????????????402

連接部??????????????????????????404

轉(zhuǎn)動軸??????????????????????????406

滾輪????????????????????????????408

納米導(dǎo)電粒子水溶液??????????????500

具體實施方式

以下結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細(xì)說明。

請參閱圖1，本發(fā)明第一實施方式提供的一種導(dǎo)電膜100包括碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層10及多個納米導(dǎo)電粒子20。

該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層10具有多個網(wǎng)洞102。該多個導(dǎo)電粒子20填充于該多個網(wǎng)洞102。可以理解，每個網(wǎng)洞102所填充的導(dǎo)電粒子20的個數(shù)視乎該網(wǎng)洞102的尺寸及該導(dǎo)電粒子20的粒徑。該導(dǎo)電粒子20為金、銀、銅、鋁或上述兩種或兩種以上金屬所形成的合金。由于導(dǎo)電膜100在碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層10的網(wǎng)洞102填充納米導(dǎo)電粒子20，因此，該導(dǎo)電膜100的導(dǎo)電率提高了。

該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層10的制備方法包括直接生長法、絮化法、碾壓法或拉膜法等方法。所述直接生長法為用化學(xué)氣相沈積法于一基板上生長獲得碳納米管薄膜，該碳納米管薄膜為無序或有序碳納米管薄膜，所述無序碳納米管薄膜中包括多個無序排列且相互交織的碳納米管，該無序碳納米管薄膜可形成該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層10。所述有序碳納米管薄膜中包括多個相互平行的碳納米管，該碳納米管網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)層10可通過將至少兩該有序碳納米管薄膜不平行地相互迭合而形成。相鄰的兩碳納米管薄膜中的碳納米管排列方向具有一交叉角度α，0°＜α≤90°，具體可依據(jù)實際需求制備。相鄰兩個碳納米管薄膜之間通過范德華力(Van?Der?Waals?Force)緊密結(jié)合。