[發(fā)明專利]一種原位生長Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010164534.X | 申請日： | 2010-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN101838788A | 公開（公告）日： | 2010-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉萍 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳丹邦投資集團有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/00 | 分類號： | C23C14/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀純 |
| 地址： | 518057 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 原位 生長 cu sub si sn 薄膜 方法 | ||
1.一種原位生長Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜方法，其特征在于：以硫化氫和氬氣混合氣體作為濺射氣體，以銅靶、硅靶和錫靶分別作為Cu源、Si源和Sn源，以磁控反應(yīng)共濺射的方式進行薄膜的原位生長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位生長Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜方法，其特征在于：濺射時濺射室內(nèi)氣體壓強為0.05Pa～10Pa，濺射氣體中硫化氫的體積分數(shù)為1％～100％，靶材與襯底的距離為3～15cm，襯底溫度為20～800℃，并以0～100轉(zhuǎn)每分鐘的速率旋轉(zhuǎn)，各個靶的濺射功率為15～300W。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種原位生長Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜方法，其特征在于：銅靶與錫靶采用直流或射頻的方式磁控反應(yīng)濺射，硅靶采用射頻的方式磁控反應(yīng)濺射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種原位生長Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜方法，其特征在于：所述方法制備的薄膜中的x取值為0～1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種原位生長Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜方法，其特征在于：所述方法制備的薄膜厚度為0.2～5μm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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