[發明專利]用于具有磷酸鈣的植入物的方法和裝置

無效

• 申請號: 201010164350.3
• 申請日: 2010-04-15
• 公開（公告）號: CN101879328A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: W·童;L·薩爾瓦蒂;P·卡丹比
• 申請（專利權）人: 德普伊產品公司
• 主分類號: A61L27/32
• 分類號: A61L27/32;A61F2/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曹小剛;李連濤

1.一種制備植入物表面的方法，包括：

使金屬性基材暴露于第一配方以在所述金屬性基材上形成第一化學改性的紋理化表面，所述第一紋理化表面通過第一多個表面凹坑來表征，所述第一多個表面凹坑具有在從約200納米至約10微米范圍內的第一平均開口尺寸；和

使所述金屬性基材暴露于第二配方以在所述金屬性基材上形成第二化學改性的紋理化表面，所述第二紋理化表面通過第二多個表面凹坑來表征，所述第二多個表面凹坑具有在從約40納米至約200納米范圍內的第二平均開口尺寸，

與使所述表面僅暴露于所述第一配方和所述第二配方之一相比，所述表面能夠增強磷酸鈣在所述表面上的形成。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

用第三配方處理所述金屬性基材以在所述第一紋理化表面和所述第二紋理化表面上形成含磷酸鈣的層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中使所述金屬性基材暴露于所述第一配方的步驟是在使所述金屬性基材暴露于所述第二配方的步驟之前進行。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬性基材包括鈷鉻合金和鈦合金中的至少一者。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一配方包含第一氫鹵酸和氧化劑。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二配方包含第二氫鹵酸，所述第二配方基本上不含氧化劑。

7.根據權利要求1所述的方法，其還包括：

在所述的暴露所述金屬性基材的步驟之前以機械方式將所述金屬性基材的表面粗糙化。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一多個表面凹坑具有在約50nm至約500nm范圍內的第一平均深度尺寸。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二多個表面凹坑具有在約5nm至約50nm范圍內的第二平均深度尺寸。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述的使所述金屬性基材暴露于所述第二配方的步驟包括使所述金屬性基材暴露至少約5分鐘的時間。