[發明專利]用于制造場效應半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201010163399.7
• 申請日: 2004-09-07
• 公開（公告）號: CN101840997A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 白石誠司;阿多誠文
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 馬高平

1.一種用于制造在電流路徑中使用碳納米管的場效應半導體器件的方法，該方法包括如下步驟：

形成由所述碳納米管組成的電流路徑，

使所述電流路徑經歷等離子體處理從而改變所述碳納米管的物理或化學狀態的步驟。

2.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其中所述等離子體處理在形成由所述碳納米管構成的所述電流路徑之后進行。

3.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其使用RF等離子體作為所述等離子體。

4.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其使用氧或氫作為用于所述等離子體處理的等離子體源。

5.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其中所述碳納米管通過激光燒蝕工藝或化學氣相沉積工藝制備。

6.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其中形成所述電流路徑使得所述電流路徑中所述碳納米管的分散程度為0.1至10管/μm²。

7.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其中使用的所述碳納米管具有0.1μm至10μm的長度。

8.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其使用乙醇或二甲基甲酰胺作為所述溶劑。

9.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其制造場效應晶體管，該場效應晶體管包括：柵極電極；源極電極和漏極電極，其形成為使得柵極絕緣膜設置在所述柵極電極與所述源極和漏極電極之間；以及溝道層，其作為所述電流路徑形成在所述源極和漏極電極之間。

10.如權利要求1或9所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其制造具有p型或/和n型操作的晶體管。

11.如權利要求1所述的用于制造場效應半導體器件的方法，其使用單壁碳納米管作為所述碳納米管。