[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010158621.4 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102208396A | 公開(公告)日: | 2011-10-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 翁承誼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/00 | 分類號(hào): | H01L25/00;H01L23/49;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣高雄市*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法,且特別是有關(guān)于一種利用打線技術(shù)形成金屬焊線(solder?wire)球的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)
請(qǐng)參照?qǐng)D1(已知技術(shù)),其繪示傳統(tǒng)堆棧式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。傳統(tǒng)的堆棧式(stacked)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10由第一半導(dǎo)體封裝件14及第二半導(dǎo)體封裝件20堆棧而成。第一半導(dǎo)體封裝件14與第二半導(dǎo)體封裝件20之間以錫球22電性連接。
第二半導(dǎo)體封裝件20具有導(dǎo)通孔16,第二半導(dǎo)體封裝件20透過導(dǎo)通孔16電性連接于第一半導(dǎo)體封裝件14與第二半導(dǎo)體封裝件20的錫球18。
然而,由于導(dǎo)通孔16貫穿第二半導(dǎo)體封裝件20的封膠12,因此降低第二半導(dǎo)體封裝件20的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。并且,由于導(dǎo)通孔16降低第二半導(dǎo)體封裝件20的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,使導(dǎo)通孔16與封膠12的外側(cè)面24之間的厚度需較厚才能確保第二半導(dǎo)體封裝件20的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,如此導(dǎo)致第二半導(dǎo)體封裝件20的尺寸無法縮小。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法,半導(dǎo)體封裝件具有一金屬焊線,該金屬焊線用以電性連接于一半導(dǎo)體組件以形成一堆棧式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體封裝件的金屬焊線的形成并不會(huì)降低半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,因此可確保半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一芯片組件、一金屬焊線、一封膠、一導(dǎo)電部、一第一介電層及一圖案化導(dǎo)電層。芯片組件包括一第一芯片及一第二芯片。第一芯片具有一第一主動(dòng)表面并包括一第一接墊,第一接墊形成于第一主動(dòng)表面。第二芯片堆棧于第一芯片上且具有一第二主動(dòng)表面并包括一第二接墊,第二接墊形成于第二主動(dòng)表面。封膠包覆芯片組件及金屬焊線,封膠并具有一第一封膠表面,第一封膠表面露出金屬焊線的一部分及第一接墊。導(dǎo)電部形成于封膠且導(dǎo)電部的至少一部分從第一封膠表面露出。第一介電層形成于第一封膠表面并具有一第一導(dǎo)電部開孔,第一導(dǎo)電部開孔露出導(dǎo)電部。圖案化導(dǎo)電層形成于第一介電層上且圖案化導(dǎo)電層的一部分形成于第一導(dǎo)電部開孔內(nèi)以電性連接于導(dǎo)電部。其中,金屬焊線電性連接導(dǎo)電部與第二接墊。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供具有一黏貼層的一載板;形成數(shù)個(gè)導(dǎo)電部于黏貼層;設(shè)置數(shù)個(gè)芯片組件于黏貼層上,每個(gè)芯片組件包括一第一芯片及一第二芯片。第一芯片具有一第一主動(dòng)表面并包括一第一接墊,第一接墊形成于第一主動(dòng)表面。第二芯片堆棧于第一芯片上且具有一第二主動(dòng)表面并包括一第二接墊,第二接墊形成于第二主動(dòng)表面且該些第一芯片的該些第一接墊面向黏貼層;以數(shù)條金屬焊線電性連接該些導(dǎo)電部與該些第二接墊;以一封膠包覆該些芯片組件、該些金屬焊線及每個(gè)導(dǎo)電部的至少一部分。封膠具有一第一封膠表面,該些導(dǎo)電部的位置與第一封膠表面重迭;移除封膠的部分材料以露出每條金屬焊線的一部分;移除載板及黏貼層,使該些第一芯片的該些第一接墊及該些導(dǎo)電部從該第一封膠表面露出;形成一第一介電層于第一封膠表面,第一介電層具有露出該些導(dǎo)電部的數(shù)個(gè)第一導(dǎo)電部開孔;形成一圖案化導(dǎo)電層于第一介電層上,圖案化導(dǎo)電層的一部分形成于該些第一導(dǎo)電部開孔內(nèi)以電性連接該些導(dǎo)電部;以及切割封膠,以分離該些芯片組件。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說明如下:
附圖說明
圖1(已知技術(shù))繪示傳統(tǒng)堆棧式半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
圖3繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造流程圖。
圖4A至4I繪示圖2的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。
圖5繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
圖6繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。
圖7A至7B繪示圖6的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。
主要組件符號(hào)說明:
10、100、200、300:半導(dǎo)體封裝件
12、106、306:封膠
14:第一半導(dǎo)體封裝件
16:導(dǎo)通孔
18、22:錫球
20:第二半導(dǎo)體封裝件
24:外側(cè)面
102:芯片組件
104:金屬焊線
108、308:導(dǎo)電部
110、310:第一介電層
112:圖案化導(dǎo)電層
114:半導(dǎo)體組件
116:第二介電層
118:第一芯片
120:第二芯片
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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