[發明專利]半導體模塊及搭載有該模塊的照相機模塊

無效

• 申請號: 201010155272.0
• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN101853846A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 長松正幸;臼井良輔;井上恭典
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/48;H01L23/12;H04N5/225
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

技術領域

本發明涉及一種半導體模塊及搭載了該模塊的照相機模塊。

背景技術

便攜電話、PDA、DVC、DSC等便攜式電子設備在加速附加能夠拍攝人物和風景的照相機功能等的高功能化中，為了使這樣的產品被市場接受，就必須為小型且輕型的產品，為了使其實現，就需要高集成的系統LSI。

另一方面，對于這些電子設備要求使用更加便利，對于在設備中使用的LSI要求高功能化、高性能化。為此，一方面隨著LSI芯片的高集成化增加其I/O數，另一方面，也強烈要求封裝本身的小型化、薄型化，為了兼顧這些方方面面，就強烈要求研發一種適合高密度地安裝半導體部件的基板的半導體封裝。為了滿足這樣的要求，就要求使搭載半導體部件的半導體模塊進一步薄型化。

下面，說明作為現有便攜式電子設備的一個實例的照相機模塊。

圖8是表示現有的照相機模塊的結構的剖面圖。

如圖8所示，現有的照相機模塊1000具有結合了印刷基板10、鏡筒46及圓筒形本體45的結構。在印刷基板10上通過接合引線14安裝CCD、CMOS圖像傳感器11，配置有塑料材質的框體40以便將它們覆蓋。

另外，照相機模塊1000通過設置在鏡筒46的內周表面的螺釘部的螺紋接合將圓筒形本體45和鏡筒46(框體40)結合在一起。

并且，在印刷基板10的上方即安裝在圓筒形本體45上的透鏡41和安裝在印刷基板10的上表面的半導體元件即圖像傳感器11之間結合有IR截止濾鏡22，遮斷向圖像傳感器11流入的過度的長波長的紅外線。

但是，為了使搭載在便攜電話等便攜式電子設備中的照相機模塊本身小型化，在現有的半導體模塊中，如圖8所示，在由框體40、鏡筒46、圓筒形本體45及印刷基板10包圍的空間內，安裝了作為用于驅動透鏡或半導體元件(CMOS傳感器)而安裝的安裝部件的一個實例的芯片部件(電阻、電容等無源部件或驅動用IC芯片)。具體地，僅在半導體元件的周邊的印刷基板10上有搭載芯片部件的區域。

為此，由于必須在照相機模塊本體中在此空間較高地層疊這些芯片部件或者平面上確保面積進行配置，所以不能解決小型化的課題。

發明內容

本發明的一實施方式提供一種半導體模塊，其特征在于，包括：具有半導體元件的第一布線基板和在對應所述半導體元件的位置具有開口部的第二布線基板；其中，在所述半導體元件的周圍通過多個導電構件電連接所述第一布線基板和所述第二布線基板。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式的半導體模塊的結構的平面圖；

圖2(A)、(B)分別是表示第一實施方式的半導體模塊的上側布線基板和下側布線基板的結構的平面圖；

圖3是沿圖1的A-A′線的第一實施方式的半導體模塊的剖面圖；

圖4是表示第一實施方式的半導體模塊的變化例的剖面圖；

圖5是表示第一實施方式的半導體模塊的變化例的剖面圖；

圖6是表示第一實施方式的半導體模塊的變化例的剖面圖；

圖7是表示具備第二實施方式的半導體模塊的照相機模塊的結構的剖面圖；

圖8是表示具備現有的半導體模塊的照相機模塊的結構的剖面圖。

具體實施方式

現在，將參照優選實施方式來說明本發明。優選實施方式不是要限制本發明的范圍，而僅僅是示例本發明。

下面，將參照附圖說明本發明的實施方式。

第一實施方式

圖1是表示第一實施方式的半導體模塊的結構的平面圖。

半導體模塊1包括下側布線基板10和上側布線基板20，這些布線基板10，20通過作為連接導電構件的一個實例的焊球30進行電連接。此外，在上側的布線基板20的上表面搭載有無源元件、驅動IC等芯片部件23。半導體模塊1的尺寸為約10mm×約10mm。

在此，分別在圖2(A)及(B)中示出圖1所示的半導體模塊的上側布線基板20和下側布線基板10的平面圖。

首先，圖2(A)所示的上側布線基板20是具有由多個布線層及絕緣層構成的所謂多層布線層的布線基板，在與搭載于下側的布線基板10上的半導體元件11對應的位置具有開口部21。從上側布線基板20的上側看時，此開口部21成為大致“口”字形狀。其形狀不一定是“口”字形狀，例如可以是圓形狀、橢圓形狀或矩形形狀。在搭載于下側布線基板10上的半導體元件11內設置有發光或受光的功能部的情況下，當從上側布線基板20側觀察開口部21時，能夠目視此發光或受光功能部的形狀即可。半導體元件11的厚度為約100μm～150μm的程度。