[發明專利]用于修復半色調掩模的方法和系統

無效

• 申請號: 201010153020.4
• 申請日: 2010-04-20
• 公開（公告）號: CN102236248A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 鄭鐘甲;金一鎬
• 申請（專利權）人: 株式會社COWINDST
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;G03F1/00
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 楊勇;鄭建暉

1.一種半色調掩模修復的方法，其通過向原材料照射激光束而在缺陷部分上沉積該原材料來修復半色調掩模上的半色調部的缺陷部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述缺陷部分的修復包括：

從半色調部中除去缺陷部分，以及

在半色調部的除去缺陷部分的那一部分上沉積半色調薄膜。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述原材料包括Cr、Cu、Ag、Au、Al、Co、Fe、Mo、Ni、Pb、Ti、W、Zn、Si、O、N以及C中的至少一種。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述半色調薄膜是由選自Mo_xO_y、Mo+Si、Mo+Si_xN_y、Mo+SiO₂、W_xO_y、W+Si、W+Si_xN_y、W+SiO₂、Cr、Cr+W+SiO₂、Cr+W+Si_xN_y、Cr_xO_y、Cr+Si、Cr+Si_xN_y、Cr+SiO₂、Cr+Mo+Si_xN_y、Cr+Mo+SiO₂、Cr+Mo+W+Si_xN_y以及Cr+Mo+W+SiO₂的一種材料形成的。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述缺陷部分上的沉積包括：在缺陷部分上沉積Mo或W；以及在該沉積成的膜上再沉積Si、SiO₂和Si_ξN_Ψ中任何一個。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中所述缺陷部分的除去包括：根據一個與缺陷部分的圖案匹配的圖案來除去缺陷部分。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中所述缺陷部分的除去包括：使用借以補償激光束圓形形狀邊緣處的尺寸的光學鄰近糾正(OPC)掩模來除去缺陷部分。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述缺陷部分的除去包括：相對于激光束的源執行邊緣鎖定，以防止從半色調部中除去無缺陷的部分。

9.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，還包括：通過在沉積半色調薄膜后測量透過率來調節半色調薄膜的透過率。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述透過率的調節是在0.01-10％的范圍內執行的。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述缺陷部分的除去和所述半色調薄膜的沉積都是使用具有小于或等于400nm的波長的激光束來執行的。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述半色調薄膜的沉積是使用具有1Hz-10kHz的脈沖重復率的激光束來執行的。

13.根據權利要求9所述的方法，其中在所述半色調薄膜的沉積中，原材料是使用50-500sccm通量的承載氣體來供應的。

14.根據權利要求9所述的方法，其中所述原材料是在20-80℃的溫度下提供的，以降低原材料的蒸發壓力。

15.一種半色調掩模的修復系統，包括：

一個腔，用于薄膜的沉積；

一個原材料生成/供應單元，其將原材料供應至腔中；以及

一個光學系統，其輻射激光束以將原材料離子化且在腔內的半色調掩模的缺陷部分上沉積半色調薄膜。

16.根據權利要求15所述的系統，其中所述光學系統包括一個激光源以及一個激光頭單元。

17.根據權利要求16所述的系統，其中所述激光源發射具有400nm的波長的激光束。

18.根據權利要求17所述的系統，其中所述激光源發射具有1Hz-10kHz的脈沖重復率的激光束。