[發明專利]晶體單元

有效

• 申請號: 201010147434.6
• 申請日: 2010-04-12
• 公開（公告）號: CN101867353A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 杉山利夫
• 申請（專利權）人: 日本電波工業株式會社
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19
• 代理公司: 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;楊本良

技術領域

本發明涉及雙旋轉Y切割晶體單元的技術領域，并且具體地，涉及一種SC切割晶體單元，其中使得C模式下的晶體阻抗(CI)相對于B模式下的CI更小。

背景技術

諸如SC切割晶體單元的雙旋轉Y切割晶體單元在熱沖擊性能等方面是優異的。因此，例如，該雙旋轉Y切割晶體單元被用于恒溫型的高穩定性晶體振蕩器。在SC切割晶體單元中，不僅僅存在用于主振動的C模式，還存在由于振動頻率接近C模式的振動頻率而導致異常振蕩(頻率躍變)的B模式。因此，需要抑制該B模式，以便保證以C模式振蕩。

圖3a和圖3b是用于說明現有技術的晶體單元的一個實例的示意圖，其中圖3a是SC切割晶體元件的切割方位角的圖表，而圖3b是晶體元件的示意圖。

晶體單元包括SC切割晶體元件1。該晶體元件1的主表面垂直于最新旋轉的晶體軸(X’，Y”，Z’)中的Y”軸，這些最新旋轉的晶體軸(X’，Y”，Z’)以晶體軸(X，Y，Z)的X軸和Z軸為中心，以θ°(大約33°)和(大約22°)逆時針旋轉而向左側旋轉。簡言之，晶體單元包括雙旋轉Y切割晶體板，其中垂直于Y軸的主表面(Y表面)以X軸和Y軸為中心以θ°和向左側旋轉。

實際上，例如，雙旋轉Y切割晶體板以X軸為中心旋轉θ°，并且隨后以新生成的Z’軸為中心旋轉可選地，該雙旋轉Y切割晶體板以Z軸為中心向左側旋轉φ°，并且隨后以新生成的X’軸為中心向左側旋轉θ°。總的來說，θ是指方向角，而φ是指傾斜角，并且方向角θ對溫度特性(峰值溫度)有影響，而傾斜角φ對CI有影響。

此外，如圖4所示，晶體是三角晶體。因此，用作電軸的X軸(實線)以120°的間隔存在，用作機械軸的Y軸(點劃線)存在為垂直于X軸。順便提及，圖4是截面圖，其中穿過紙面的方向是用作光軸的Z軸，并且該截面圖垂直于Z軸。因此，利用在逆時針方向上旋轉了30°的Y軸作為標準時，作為SC切割晶體元件的傾斜角是，即，通過利用從X軸旋轉角度30°作為標準，順時針方向旋轉了8°的角度。

例如，晶體元件1形成為在X’軸方向上較長的矩形幾何形狀，并且將X’軸限定為長度L，將Z’軸限定為寬度W，且將Y”軸限定為厚度T。例如，激勵電極(未示出)形成在晶體元件1的兩個主表面上，并且引出電極從該晶體元件的一端的兩側延伸。于是，引出電極從其延伸的晶體元件1的一端的兩側由未圖示出的裝置保持，并且該晶體元件1被密封封裝，以形成晶體單元。

引用列表

專利文獻

日本專利文獻1：JP-A-2006-345115

日本專利文獻2：JP-A-H11-177376

日本專利文獻3：JP-A-S56-122516

發明內容

技術問題

然而，在具有上述結構(SC切割)的晶體單元中，產生了作為厚薄扭轉振動的B模式(次振動)，使得與作為厚薄切變振動的C模式(主振動)接近，并且B模式下的CI與C模式下的CI彼此相等。因此，具有這樣的問題，即，相對于以C模式的振蕩，發生了以B模式的異常振蕩。

由于該事實，例如，JP-A-2006-345115公開了提供一種關于C模式下和B模式下的振蕩頻率的諧振電路，目的在于抑制B模式以確保以C模式振蕩。然而，在這種情況下，存在用作諧振電路的LC電路等需要使電路復雜的問題，這增加了零部件的數目而使設計復雜。

順便提及，這些問題不僅僅發生在SC切割晶體單元中，而且同樣地發生在其中相對于C模式產生了B模式的雙旋轉Y切割晶體單元中。例如，這些問題甚至同樣地發生在例如其中方向角θ是33°且傾斜角φ是19°的IT切割晶體單元中，以及方向角θ是33°且傾斜角φ是15°的FC切割晶體單元中。

本發明的一個目的是提供一種雙旋轉Y切割晶體單元，其中使得B模式下的CI相對于C模式下的CI相對較大，以使得以C模式的振蕩容易。

解決問題的方法

根據本發明的第一方面，提供一種雙旋轉Y切割晶體單元，包括：晶體元件，其分別以晶體軸(X，Y，Z)的X軸和Z軸為中心在逆時針方向上旋轉角度θ°和角度φ°，該晶體元件的主表面垂直于新生成的旋轉晶體軸(X’，Y”，Z’)中的Y”軸，并且該晶體元件形成為在一個方向上較長的矩形幾何形狀，其中，當利用X’軸作為在用作主表面的旋轉晶體軸的X’-Z’平面中的中心軸，將該晶體元件在逆時針方向上旋轉了角度α°時，該晶體元件的長邊的方向相當于軸向，并且其中將該角度α°設定為

根據本發明的第二方面，在雙旋轉Y切割晶體單元中，其中該雙旋轉Y切割晶體單元是SC切割晶體單元，其中晶體元件被構造成使得角度θ為33°而角度φ為22°。