[發明專利]半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201010145606.6
• 申請日: 2004-08-25
• 公開（公告）號: CN101807525A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 尾崎貴志;湯淺和宏;前田喜世彥
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：

將多張襯底搬入反應管內的步驟；

在所述反應管內的壓力低于大氣壓的狀態下向所述反應管內供 給含氧氣體與含氫氣體對所述多張襯底進行氧化處理的步驟；

以及將所述氧化處理后的所述多張襯底從所述反應管搬出的步 驟，

在對所述襯底進行氧化處理的步驟中，

在加熱所述反應管內壁及所述反應管內的狀態下，從所述反應管 內的頂壁側供給含氧氣體，流向底端側，同時，在對應于所述反應管 內的所述多張襯底排列區域的區域中，在比所述多張襯底的排列位置 更靠近所述反應管內壁的位置處，從沿著所述反應管內壁的垂直方向 的多個部位供給含氫氣體，流向所述底端側，或者，

在加熱所述反應管內壁及所述反應管內的狀態下，從所述反應管 內的底端側供給含氧氣體，流向頂壁側，同時，在對應于所述反應管 內的所述多張襯底排列區域的區域中，在比排列有多張襯底的排列位 置更靠近所述反應管內壁的位置處，從沿著所述反應管內壁的垂直方 向的多個部位供給含氫氣體，流向所述頂壁側。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在 對所述襯底進行氧化處理的步驟中，從所述反應管內的頂壁側以噴淋 狀供給所述含氧氣體。

3.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：

將多張襯底搬入反應管內的步驟；

在所述反應管內的壓力低于大氣壓的狀態下向所述反應管供給 含氧氣體與含氫氣體對所述襯底進行氧化處理的步驟；

以及將所述氧化處理后的所述多張襯底從所述反應管搬出的步 驟，

在對所述襯底進行氧化處理的步驟中，

在加熱所述反應管內壁及所述反應管內的狀態下，從所述反應管 內的頂壁側供給含氧氣體和含氫氣體，流向底端側，同時，在對應于 所述反應管內的所述多張襯底排列區域的區域中，在比所述多張襯底 的排列位置更靠近所述反應管內壁的位置處，從沿著所述反應管內壁 的垂直方向的多個部位供給含氫氣體，流向所述底端側，或者，

在加熱所述反應管內壁及所述反應管內的狀態下，從所述反應管 內的底端側供給含氧氣體和含氫氣體，流向頂壁側，同時，在對應于 所述反應管內的所述襯底排列區域的區域中，在比所述多張襯底的排 列位置更靠近所述反應管內壁的位置處，從沿著所述反應管內壁的垂 直方向上的多個部位供給含氫氣體，流向所述頂壁側。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特 征在于，在對所述襯底進行氧化處理的步驟中，從沿著反應管內壁的 垂直方向的多個部位所供給的含氫氣體，是向著所述反應管內壁供給 的。

5.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特 征在于，在對所述襯底進行氧化處理的步驟中，在對應于所述反應管 內的襯底排列區域的區域中，在比所述多張襯底的排列位置更靠近所 述反應管內壁的位置處，通過被加熱了的所述反應管內壁的熱量使所 述含氧氣體和所述含氫氣體反應生成反應種，將所生成的反應種供給 至所述多張襯底。

6.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在 對所述襯底進行氧化處理的步驟中，從所述反應管內的所述頂壁側供 給的所述含氧氣體和所述含氫氣體是以噴淋狀供給的。

7.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在 對所述襯底進行氧化處理的步驟中，從所述反應管內的所述頂壁側供 給在所述反應管外混合的所述含氧氣體與所述含氫氣體的混合氣體。