[發明專利]一種懸架結構光刻膠的涂膠方法有效
| 申請號： | 201010144358.3 | 申請日： | 2010-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN102213919A | 公開（公告）日： | 2011-10-12 |
| 發明（設計）人： | 吳紫陽;楊恒;李昕欣;王躍林 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 懸架 結構 光刻 涂膠 方法 | ||
1.一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)使光刻膠在極性溶液表面自組裝形成光刻膠膜；
2)將所述光刻膠膜轉移至已刻蝕有圖形的半導體材料上；
3)晾干水份，之后對所述光刻膠膜依次進行前烘、曝光、顯影、后烘。
2.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：所述光刻膠為固化后具有曝光顯影特性的混合液體，其包括樹脂、感光劑和有機溶劑。
3.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：所述極性溶液包括去離子水。
4.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：所述半導體材料上刻蝕有溝槽、孔洞、凹坑、微柱或其組合。
5.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：步驟2)將所述光刻膠膜轉移至所述半導體材料上的方法為：從上向下將所述半導體材料緩慢接觸所述光刻膠膜，使所述光刻膠膜粘貼在所述半導體材料上，再脫離所述極性溶液表面。
6.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：步驟2)將所述光刻膠膜轉移至所述半導體材料上的方法為：將所述半導體材料置于所述極性溶液中，待所述光刻膠膜在所述極性溶液表面形成后，緩慢排液以使所述光刻膠膜下降并貼覆于所述半導體材料上，或從下向上將半導體材料緩慢接觸并粘黏所述光刻膠膜。
7.根據權利要求6所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：所述半導體材料上刻蝕有溝槽和與溝槽連通的排水孔。
8.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：在步驟1)之前，添加有機溶劑稀釋所述光刻膠。
9.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：在步驟1)之前，揮發所述光刻膠中的有機溶劑以濃縮所述光刻膠。
10.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：重復利用步驟1)形成多層光刻膠膜后，再利用步驟2)將其轉移至所述半導體材料上。
11.根據權利要求1所述一種懸架結構光刻膠的涂膠方法，其特征在于：重復利用步驟1)、2)，在所述半導體材料上多次貼覆，得到多層光刻膠膜。
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