[發明專利]多輸入比較器和電源轉換電路

有效

• 申請號: 201010144285.8
• 申請日: 2010-04-12
• 公開（公告）號: CN101847981A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 王釗;董賢輝;楊曉東
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: H03K3/023
• 分類號: H03K3/023;H02M3/135
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多輸入比較器，其包括：

第一差分晶體管，其柵極作為所述多輸入比較器的第一電壓輸入端，所述第一電壓輸入端接收第一電壓；

與第一差分晶體管形成差分晶體管對的第二差分晶體管，其柵極作為所述多輸入比較器的第二電壓輸入端，所述第二電壓輸入端接收第二電壓；其特征在于，所述多輸入比較器還包括一電阻，所述電阻的一端與第一差分晶體管的源極相連，所述電阻的另一端與第二差分晶體管的源極相連，其中

所述電阻與第一差分晶體管相連的節點作為所述多輸入比較器的電流輸入端，所述電流輸入端連接注入電流源；或所述電阻與第二差分晶體管相連的節點作為所述多輸入比較器的電流輸入端，所述電流輸入端連接抽取電流源。

2.根據權利要求1所述的多輸入比較器，其特征在于，所述第一差分晶體管和第二差分晶體管同為PMOS晶體管，所述多輸入比較器還包括與第一差分晶體管的源極相連的電流源。

3.根據權利要求1所述的多輸入比較器，其特征在于，所述第一差分晶體管和第二差分晶體管同為NMOS晶體管，所述多輸入比較器還包括與第二差分晶體管的源極相連的電流源。

4.根據權利要求1所述的多輸入比較器，其特征在于，在第一電壓等于第二電壓與所述電阻的壓降之和時，所述多輸入比較器的輸出翻轉。

5.根據權利要求3所述的多輸入比較器，其特征在于，所述注入電流源向所述電流輸入端注入電流，所述電阻的壓降包括所述注入電流在所述電阻上引起的壓降，所述抽取電流源從所述電流輸入端抽取電流，所述電阻的壓降包括所述抽取電流在所述電阻上引起的壓降。

6.一種多輸入比較器，其包括：

第一差分晶體管，其柵極作為所述多輸入比較器的第一電壓輸入端，所述第一電壓輸入端接收第一電壓；

與第一差分晶體管形成差分晶體管對的第二差分晶體管，其柵極作為所述多輸入比較器的第二電壓輸入端，所述第二電壓輸入端接收第二電壓；其特征在于，所述多輸入比較器還包括第一電阻和第二電阻，第一電阻的一端與第一差分晶體管的源極相連，第二電阻的一端與第二差分管的源極相連，第一電阻的另一端與第二電阻的另一端相連，其中

第一電阻與第一差分晶體管相連的節點作為所述多輸入比較器的電流輸入端，所述電流輸入端連接注入電流源；或第二電阻與第二差分晶體管相連的節點作為所述多輸入比較器的電流輸入端，所述電流輸入端連接抽取電流源。

7.根據權利要求5所述的多輸入比較器，其特征在于，其還包括與第一電阻和第二電阻的中間節點相連的電流源。

8.根據權利要求5所述的多輸入比較器，其特征在于，在第一電壓等于第二電阻和第一電阻的壓降差與第二電壓之和時，所述多輸入比較器的輸出翻轉。

9.根據權利要求7所述的多輸入比較器，其特征在于，所述注入電流源向所述電流輸入端注入電流，第二電阻和第一電阻的壓降差包括所述注入電流在第二電阻和第一電阻上引起的壓降差，所述抽取電流源從所述電流輸入端抽取電流，第二電阻和第一電阻的壓降差包括所述抽取電流在第二電阻和第一電阻上引起的壓降差。

10.根據權利要求9所述的多輸入比較器，其特征在于，第一差分晶體管的長寬比等于第二差分晶體管的長寬比。

11.根據權利要求9所述的多輸入比較器，其特征在于，所述多輸入比較器還包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、電流源和反向器，所述第一晶體管的漏極與所述第一差分晶體管的漏極相連，其源極接地，其柵極與其漏極相連；所述第二晶體管的漏極與所述第二差分晶體管的漏極相連，其源極接地，其柵極與第一晶體管的柵極相連；所述第三晶體管的漏極與電流源相連，其源極接地，其柵極與第二晶體管的漏極相連，反向器的輸入端與電流源和第三晶體管的中間節點相連，另一端作為電壓輸出端。