[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光芯片、其制造方法以及半導(dǎo)體光學(xué)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010144053.2
• 申請(qǐng)日: 2010-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101847823A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 神川剛;太田征孝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/00
• 分類號(hào): H01S5/00;H01S5/02;H01L33/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括：

氮化物半導(dǎo)體基板，具有一主生長(zhǎng)面；和

氮化物半導(dǎo)體層，生長(zhǎng)在所述氮化物半導(dǎo)體基板的主生長(zhǎng)面上，

其中，所述主生長(zhǎng)面是相對(duì)于m面在a軸和c軸方向都具有偏角的面，而且

在所述a軸方向的所述偏角大于在所述c軸方向的所述偏角。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中

在所述a軸方向的所述偏角和在所述c軸方向的所述偏角都大于0.1度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中

在所述a軸方向的所述偏角大于0.1度且等于或小于10度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中

在所述a軸方向的所述偏角大于1度且等于或小于10度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中

所述氮化物半導(dǎo)體層包括具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層，以及

所述有源層具有一個(gè)阱層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中

所述氮化物半導(dǎo)體層包括具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層，以及

所述有源層具有兩個(gè)阱層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中

所述氮化物半導(dǎo)體層包括具有量子阱結(jié)構(gòu)的有源層，

所述有源層具有由含In的氮化物半導(dǎo)體形成的阱層，以及

所述阱層中的所述In的組分比在0.15以上且在0.45以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中

所述氮化物半導(dǎo)體基板由GaN形成。

9.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法，該方法包括：

制備氮化物半導(dǎo)體基板的步驟，該氮化物半導(dǎo)體基板以相對(duì)于m面在a軸和c軸方向都具有偏角的面作為主生長(zhǎng)面，在所述a軸方向的所述偏角大于在所述c軸方向的所述偏角；以及

通過(guò)外延生長(zhǎng)法在所述氮化物半導(dǎo)體基板的主生長(zhǎng)面上堆疊包括n型半導(dǎo)體層、有源層和p型半導(dǎo)體層的氮化物半導(dǎo)體層的步驟，

其中，堆疊所述氮化物半導(dǎo)體層的所述步驟包括從氮化物半導(dǎo)體基板側(cè)形成所述n型半導(dǎo)體層、所述有源層和所述p型半導(dǎo)體層的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法，其中

堆疊所述氮化物半導(dǎo)體層的所述步驟包括在700℃以上且低于900℃的生長(zhǎng)溫度形成所述p型半導(dǎo)體層的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法，其中

堆疊所述氮化物半導(dǎo)體層的所述步驟包括在900℃以上且低于1300℃的生長(zhǎng)溫度形成所述n型半導(dǎo)體層的步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法，其中

堆疊所述氮化物半導(dǎo)體層的所述步驟包括在600℃以上且低于770℃的生長(zhǎng)溫度形成所述有源層的步驟。

13.一種半導(dǎo)體光學(xué)裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置。