[發明專利]Ti-TiN-CNx梯度多層薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201010143619.X | 申請日： | 2010-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN101804708A | 公開（公告）日： | 2010-08-18 |
| 發明（設計）人： | 涂江平;劉東光;王秀麗;谷長棟;洪春福 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | B32B9/04 | 分類號： | B32B9/04;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ti tin cn sub 梯度 多層 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.Ti-TiN-CNx梯度多層薄膜，其特征是：在鈦合金基底(4)上自下而上依 次有厚度為50nm的純Ti結合層(1)、由單層厚度為3nm的TiN和單層厚度 從5～10nm逐漸增加的非晶CNx相互交替構成的TiN/CNx梯度多層過渡層(2) 和厚度為0.52～1.05μm的類石墨結構的非晶CNx膜層(3)，其中，TiN/CNx梯 度多層過渡層中Ti含量占30～40％，N含量分布從純Ti結合層(1)側到非晶 CNx膜層(3)側逐漸增加，非晶CNx膜層(3)的sp2結構含量為55～72％。
2.根據權利要求1所述的Ti-TiN-CNx梯度多層薄膜的制備方法，其特征是 采用非平衡磁控濺射法，包括以下步驟：
1)在兩個垂直于水平面并相互平行方向安置純石墨靶和金屬Ti靶；在磁控 濺射反應室中的轉架臺上放置鈦合金基底，控制轉架臺轉速15rpm，調節基底 與靶材間的距離為9cm；
2)反應室抽真空，通入純氬氣，用鈦靶電流濺射清洗靶材及基底；
3)通入純氬氣，控制氬氣流量為25～30sccm，用0.25A的鈦靶電流、負 偏壓55～70V在基底上沉積純Ti結合層；然后通入氮氣，調整基底溫度在300℃， 控制流量在5.8sccm，將鈦靶的電流從0.25A上升到0.4A，與此同時將石墨靶 的電流控制在0.35A、負偏壓100～120V，交叉濺射沉積TiN/CNx梯度多層過渡 層；最后采用0.45A的石墨靶電流，負偏壓50～150V，濺射沉積非晶CNx膜層。
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