[發明專利]薄膜太陽能結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010143295.X
• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN102194904A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 陳彥君
• 申請（專利權）人: 綠陽光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 苗征;于輝

1.一種薄膜太陽能電池結構，其包含：

基材；

導電層，形成于該基材上具有復數個第一凹槽及復數個第二凹槽，其中所述第一凹槽與這些組件的串接方向垂直，所述第二凹槽與這些組件的該串接方向平行；

主動層，順應性地形成于該導電層上，具有復數個第三凹槽、復數個第四凹槽及復數個第五凹槽，其中所述第三凹槽及所述第四凹槽與這些組件的該串接方向垂直，所述第五凹槽與這些組件的該串接方向平行；以及

透明導電層，順應性地形成于該主動層上，具有復數個第六凹槽及復數個第七凹槽，其中所述第六凹槽相對應于所述第四凹槽，所述第六凹槽與這些組件的該串接方向垂直，所述第七凹槽相對應于所述第五凹槽，所述第七凹槽與這些組件的該串接方向平行。

2.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池結構，其中所述基材為玻璃、具有可撓性的金屬箔或高分子材料，其中所述具有可撓性的金屬箔為不銹鋼箔、銅箔或鋁合金箔，所述高分子材料為聚亞酰胺。

3.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池結構，其中所述導電層選自鉬、鉭、鎢、鈦、銅、鋁等及不銹鋼之一。

4.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池結構，其中所述主動層為光吸收層。

5.根據權利要求4所述的薄膜太陽能電池結構，其中所述光吸收層選自I?BIIIAVIA族的化合物(黃銅礦結構，Chalcopyrites)之一。

6.根據權利要求5所述的薄膜太陽能電池結構，其中所述IB族材料為銅，所述IIIA族材料選自銦及鎵其中之一，所述IIIA族材料包括銦及鎵，所述VIA族材料選自硒及硫其中之一，所述VIA族材料包括硒及硫，所述VIA族材料選自硒及硫其中之一，所述VIA族材料包括硒及硫。

7.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池結構，其中所述透明導電層為聚透光導電功能的透光導電氧化層(TCO)，該透明導電層的材料為氧化鎳/金(NiO/Au)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁鋅(AlZnO)。

8.根據權利要求4所述的薄膜太陽能電池結構，其還包含緩沖層，其中該緩沖層的材料為硫化鎘(CdS)、硫化銦(InS)、硒化銦(InSe)、硫化鋅(ZnS)或氧化鎂鋅(ZnMgO)。

9.一種薄膜太陽能電池的制造方法，該方法包括步驟：

提供基材；

在該基材上形成導電層；

移除部分所述導電層，以形成復數個第一凹槽及復數個第二凹槽，其中所述第一凹槽與這些組件的串接方向垂直，所述第二凹槽與這些組件的該串接方向平行；

在該導電層上順應性地形成主動層；

移除部分的該主動層，以形成復數個第三凹槽，所述第三凹槽與這些組件的該串接方向垂直；

在該主動層上順應性地形成透明導電層；

移除部分的所述透明導電層及部分的所述主動層，以形成復數個第四凹槽及復數個第六凹槽，其中所述第六凹槽相對應于所述第四凹槽，所述第四凹槽及所述第六凹槽與這些組件的該串接方向垂直；以及

移除部分的所述透明導電層及部分的所述主動層，以形成復數個第五凹槽及復數個第七凹槽，其中所述第七凹槽相對應于所述第五凹槽，所述第五凹槽及所述第七凹槽與這些組件的該串接方向平行。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述導電層系以濺鍍法形成，所述第一凹槽及所述第二凹槽以雷射刮除方式形成，所述第三凹槽、第四凹槽、第五凹槽、第六凹槽及第七凹槽以機械刮除方式形成，所述主動層以共蒸鍍、濺鍍硒化、涂布制程、化學噴灑熱解法或電沉積方式形成，所述透明導電層以濺鍍法形成。