[發明專利]多層式陣列型發光二極管

有效

• 申請號: 201010141868.5
• 申請日: 2010-04-08
• 公開（公告）號: CN102214645A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 胡仲孚;吳永富
• 申請（專利權）人: 盈勝科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所 11264
• 代理人: 劉俊

1.一種多層式陣列型發光二極管，其特征在于，包含：

一基板，該基板至少具有一出光區及兩導線架容置槽，其中該出光區位于該基板的中間區塊，該兩導線架容置槽位于該基板的前后側區塊，其中該基板進一步具有設置于該基板的左、右側邊區塊的至少一第一固定孔及至少一穿孔，以及對應于該兩導線架容置槽的至少兩凹槽；

一封裝模塊，其以一射出成型方式形成于該基板的該出光區周圍，該封裝模塊高于該出光區的表面的部份定義成一上封裝模塊，其中該上封裝模塊底面的前后兩側向下形成有兩凸板，該兩凸板的配置位置相對應于該導線架容置槽，該兩凸板的長度至少大于該導線架容置槽的最長長度，該兩凸板超出于該導線架容置槽的部份并向下延設有一第一凸部，該第一凸部底端向內平行延設有兩突塊，該兩突塊用以對應地與該兩凹槽相組裝，其中該上封裝模塊底面在相對應于該第一固定孔處形成有一第二凸部，該第二凸部對應于該凸緣的位置則形成有一凹緣，又該上封裝模塊具有一頂面、一第一內壁面、一固定面及一反光面，其中該頂面為一位于該上封裝模塊上側周緣的平面部分，該頂面包含一連接于該上封裝模塊的該第一內壁面的內邊，該第一內壁面垂設該頂面，且該第一內壁面包含一連接于該上封裝模塊的該固定面的底邊，其中該第一內壁面的底邊垂直于該固定面，且該固定面平行于該頂面；

兩導線架，該兩導線架部份地被包埋于該凸板內，其中每一導線架最靠近該出光區一側的部份為一內電性連接區，一用以打線接合并包埋于該兩凸板內的中間區，以及一遠離于該出光區及未包埋于該兩凸板內的外電性連接區，其中該內電性連接區及該外電性連接區之間設有至少一第二卡合槽及至少一第二固定孔，該第二卡合槽與該第二固定孔皆包埋于該封裝模塊內，而該導線架的該內電性連接區與該導線架的該外電性連接區保留未封入于該封裝模塊以供打線接合與電性連接使用，其中該外電性連接區設有多個供與外部組件電性連接的焊孔，且該外電性連接區至少須超出該基板的周緣；

一發光單元，該發光單元設置于該出光區之上，其中該發光單元包含有多個發光二極管晶粒，所述發光二極管晶粒互相打線接合并接合導線到該兩導線架以構成一電路；

一罩體，該罩體由可透光性硅膠以射出成形方式制成，該罩體可罩覆該封裝模塊與該發光單元以保護該發光單元，其中該罩體的底周緣向外延設有一延伸座，該延伸座的底面設有一嵌合部，該嵌合部相對應于該罩體嵌合槽的設置位置；

一保護層，該保護層涂布于所述發光二極管晶粒及接合的導線之上；以及

一熒光層，該熒光層形成于該保護層上方，其中該熒光層在由一熒光墻所定義的區域內藉提供一磷化合物劑而形成，該反光面的內邊與該熒光墻相接合。

2.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該基板進一步包含設置有分別相對應于該兩導線架容置槽的每一導線架容置槽的一凹槽，以及該兩導線架定位于定義為該兩導線架容置槽的側邊配置空間內，其中該兩導線架與該基板保持非接觸。

3.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該基板的材質為一銅、一鋁、一銅合金或一鋁合金的至少其中之一。

4.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該出光區的周邊設有一第一卡合槽。

5.如權利要求4所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該第一卡合槽的斷面呈一“V”型。

6.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該第二卡合槽的斷面呈一“V”型。

7.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該基板的表面進一步設有一導熱反光層，該導熱反光層的材質至少包含有一鎳或一銀的至少其中之一。

8.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該導線架的表面至少不低于該出光區的表面。

9.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該罩體嵌合槽的斷面呈一“V”型。

10.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，該延伸座間的長度至少不小于該上封裝模塊的該第一內壁面間的長度。

11.如權利要求1所述的多層式陣列型發光二極管，其特征在于，所述發光二極管晶粒以陣列排列配置于該出光區的表面。