[發明專利]具穿透照明的工作臺

有效

• 申請號: 201010140529.5
• 申請日: 2010-03-26
• 公開（公告）號: CN101859724A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 曾山正信
• 申請（專利權）人: 三星鉆石工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

技術領域

本發明涉及一種穿透照明工作臺，其從和工作臺接觸的一側的襯底面(稱為背面)，對載置在工作臺上的硅襯底等紅外光穿透性襯底照射紅外光，以使此紅外光在襯底內穿透，由此可以檢測形成在背面上的對準用標記的穿透圖像。

背景技術

當對形成在半導體襯底上的布線層的覆蓋狀態進行檢查、或對半導體集成電路的微觀圖案形成時所用的光掩模(光罩)表背面的作為位置基準的標記的位置偏移進行測定時，獲取由襯底的背面側照射并穿透到襯底表面側的紅外光的穿透照明圖像，進行襯底檢查或位置偏移測定(參照專利文獻1、2)。

例如，專利文獻1中揭示了如下方法：在半導體襯底上形成布線層后，檢測階差覆蓋的不良部位，此時，從襯底的背面照射包含波長為1.3～6μm的紅外光的光，并利用紅外線檢測器來檢測穿透襯底的光，再通過穿透光來檢查布線層的覆蓋狀態。根據該文獻，利用配置在襯底下方的反射鏡使由燈箱照射的紅外光反射，對襯底照射反射紅外光，從而實現穿透照明。另外，在該文獻中，關于進行穿透照明時襯底的支撐方法的具體構造，并無任何揭示。

另外，專利文獻2中揭示了一種襯底表背面標記位置測定裝置：其可以在使用硅襯底制造光掩模時，簡易地測定光掩模的表面和背面的對準誤差。

根據該專利文獻2，從硅襯底的表面或背面(第一面)對標記周圍照射近紅外光(波長0.98μm)的照明光，在襯底的另一面(第二面)側將照明光穿透襯底后的光導入到圖像獲取裝置中，獲得第一面上的第一標記的圖像以及第二面上的第二標記的圖像，并將兩標記的圖像合成后，測定兩者的位置差。

該襯底表背面標記位置測定裝置是通過將硅襯底載置在光掩模平臺上來支撐襯底。由于要求光掩模平臺較牢固，所以使光掩模平臺由金屬等不穿透紅外光的材料構成。因此，在光掩模平臺中設置著用以使穿透照明用紅外光穿過的孔，并且以使進行硅襯底的位置測定的第一標記、第二標記位于該孔上的方式載置硅襯底。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平1-109735號公報

[專利文獻2]日本專利特開2004-349544號公報

發明內容

在對硅襯底進行劃片加工或切斷加工的情況下，有時將該襯底載置在工作臺(也稱為平臺)上，利用預先形成在襯底上的對準用標記來進行襯底對工作臺的定位，然后使用刀輪等加工工具沿著所需的加工預定線來進行加工。

如上所述，當在工作臺上相繼進行襯底定位和襯底加工的情況下，有時因被加工襯底不同，而必須根據加工步驟，使形成有對準標記一側的襯底面為和工作臺接觸一側的面(背面)。

此時，必須通過利用背景技術中所說明的穿透照明而從背面側對形成有對準標記的區域照射紅外光，并檢測其穿透圖像，由此來進行定位。

另一方面，在劃片加工或切斷加工時，則使用加工工具以一定程度的按壓力局部地按壓襯底，但若受按壓的位置正下方并非金屬制的平臺面，而是和專利文獻2揭示的光掩模平臺同樣的用以使紅外光穿透的孔，則可能會使襯底因按壓而彎曲、破損。

因此，對于形成有用以使紅外光穿透的孔的工作臺(也稱為平臺)來說，難以在一個平臺上利用穿透照明進行定位、以及通過加工工具按壓進行襯底加工。

進而，在襯底加工時，為了移動載置著襯底的工作臺，使襯底朝二維方向或三維方向移動或者旋轉，而必須在工作臺下設置移動工作臺的移動機構或旋轉機構，故無法自由地設計進行穿透照明時的光源的設置場所或從光源到襯底的照射光學系統。

因此，本發明的目的在于提供一種具穿透照明的工作臺，其可以在使形成有對準標記一側的襯底面和工作臺面接觸的狀態下，通過穿透照明來確認對準標記，進行襯底定位，并且可以按壓著刀輪等加工工具進行襯底加工。

為了解決所述課題而研制的本發明的具穿透照明的工作臺包含：紅外光源；金屬制的小工作臺，其在下部安裝著可動機構，并且在上部形成有支撐上工作臺的工作臺支撐面；以及，由紅外穿透性材料形成的上工作臺，其具有和小工作臺的工作臺支撐面為面接觸的底面、以面接觸狀態載置襯底的整個背面的上表面、及紅外光源的紅外光所入射的入射側面；并且，在上工作臺內部且載置有襯底的位置下方，設置著使從入射側面入射的紅外光向上表面反射的反射面，紅外光穿透構成上工作臺的紅外穿透性材料而照射到襯底。

此處，反射面也可以由埋入在切除上工作臺的一部分而形成的空間的金屬塊的表面形成。

另外，反射面也可以是將紅外光反射膜設置在切除上工作臺的一部分而形成的傾斜面上。