[發明專利]半導體裝置和粘結片

無效

• 申請號: 201010135730.4
• 申請日: 2010-03-10
• 公開（公告）號: CN102034800A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 林秀和;富田寬;相良潤也;田久真也;戶崎德大;黑澤哲也;北島由貴子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種半導體裝置，具有：

基板；

第1半導體芯片，設置在上述基板上；

第2半導體芯片，設置在上述第1半導體基板上，且背面進行了鏡面處理；以及

粘結片，設置在上述第1半導體芯片與上述第2半導體芯片之間，且含有能捕獲金屬雜質離子的金屬雜質離子捕獲劑。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，所述金屬雜質離子捕獲劑包括絡合劑、無機離子交換體、金屬粉末中的至少一種。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，所述絡合劑具有至少一個含有碳原子的環狀骨架。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，所述無機離子交換體包括鋯系化合物、銻系化合物、鉍系化合物、銻-鉍系化合物、鎂-鋁系化合物中的至少一種。

5.如權利要求2所述的半導體裝置，所述金屬粉末為硅粉末。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，所述硅粉末包括非晶硅、多晶硅中的至少一種。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，所述硅粉末的表面進行了粗面處理。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，所述硅粉末的表面進行了粗面處理，使得平均粗糙度大于等于1.0nm。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，所述金屬雜質離子含有Cu、Fe、Au、Na、Ni、Co、Ti、Ta的離子中的至少一種。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，所述鏡面處理為干法拋光。

11.一種粘結片，設置在設于半導體裝置內部的第1半導體芯片、與設于上述第1半導體芯片上的第2半導體芯片之間，并含有能捕獲金屬雜質離子的金屬雜質離子捕獲劑。

12.如權利要求11所述的粘結片，所述金屬雜質離子捕獲劑包括絡合劑、無機離子交換體、金屬粉末中的至少一種。

13.如權利要求12所述的粘結片，所述絡合劑具有至少一個含有碳原子的環狀骨架。

14.如權利要求12所述的粘結片，所述無機離子交換體包括鋯系化合物、銻系化合物、鉍系化合物、銻-鉍系化合物、鎂-鋁系化合物中的至少一種。

15.如權利要求12所述的粘結片，所述金屬粉末為硅粉末。

16.如權利要求15所述的粘結片，所述硅粉末包括非晶硅、多晶硅的至少一種。

17.如權利要求16所述的粘結片，所述硅粉末的表面進行了粗面處理。

18.如權利要求17所述的粘結片，所述硅粉末的表面進行了粗面處理，使得平均粗糙度大于等于1.0nm。

19.如權利要求11所述的粘結片，所述金屬雜質離子含有Cu、Fe、Au、Na、Ni、Co、Ti、Ta的離子中的至少一種。

20.如權利要求11所述的粘結片，所述粘結片含有環氧樹脂。