[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片引線框架無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010135577.5 | 申請日： | 2010-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN102148212A | 公開（公告）日： | 2011-08-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田兆君;賀青春;劉強;楊潔;趙樹峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 飛思卡爾半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 穆德駿;陸錦華 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 芯片 引線 框架 | ||
1.一種向半導(dǎo)體芯片提供電性互連的引線框架，所述引線框架包括：
通常為矩形的具有第一和第二主表面以及四個側(cè)面的標(biāo)記區(qū)域，其中所述標(biāo)記區(qū)域大小和形狀被設(shè)置為可在所述第一和第二主表面之一上接收半導(dǎo)體芯片；
第一引線行，毗鄰所述標(biāo)記區(qū)域的所述四個側(cè)面中的第一側(cè)面；以及
第二引線行，毗鄰所述標(biāo)記區(qū)域的所述四個側(cè)面中的第二側(cè)面，其中所述四個側(cè)面中的所述第二側(cè)面毗鄰所述四個側(cè)面中的所述第一側(cè)面，并且其中所述標(biāo)記區(qū)域的余下的兩個側(cè)面沒有任何毗鄰的引線。
2.如權(quán)利要求1所述的引線框架，其中所述標(biāo)記區(qū)域和所述引線由銅箔片制成。
3.如權(quán)利要求2所述的引線框架，通過切割、沖壓或刻蝕所述箔片之一制成。
4.如權(quán)利要求1所述的引線框架，其中所述第一和第二側(cè)面具有與其毗鄰的相同數(shù)量的引線。
5.如權(quán)利要求4所述的引線框架，其中所述第一和第二側(cè)面均具有與其毗鄰的3個引線。
6.如權(quán)利要求5所述的引線框架，其中所述第一和第二側(cè)面均具有與其毗鄰的4個引線。
7.如權(quán)利要求1所述的引線框架，其中所述標(biāo)記區(qū)域為正方形。
8.如權(quán)利要求7所述的引線框架，其中所述標(biāo)記區(qū)域的尺寸為2.4mm×2.4mm。
9.一種向半導(dǎo)體芯片提供電性互連的引線框架，所述引線框架包括：
通常為矩形的具有第一和第二主表面以及四個側(cè)面的標(biāo)記區(qū)域，其中所述標(biāo)記區(qū)域大小和形狀被設(shè)置為可在所述第一和第二主表面之一上接收半導(dǎo)體芯片，并且其中所述標(biāo)記區(qū)域的尺寸為2.4mm×2.4mm；
第一引線行，毗鄰所述標(biāo)記區(qū)域的所述四個側(cè)面中的第一側(cè)面，其中所述第一引線行包括3個引線；以及
第二引線行，毗鄰所述標(biāo)記區(qū)域的所述四個側(cè)面中的第二側(cè)面，其中所述四個側(cè)面中的所述第二側(cè)面毗鄰所述四個側(cè)面中的所述第一側(cè)面，其中所述第二引線行包括3個引線，并且其中所述標(biāo)記區(qū)域的其他兩個側(cè)面沒有任何毗鄰的引線。
10.如權(quán)利要求9所述的引線框架，其中所述標(biāo)記區(qū)域和所述引線通過切割、沖壓或刻蝕箔片之一而由銅箔片制成。
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