[發(fā)明專利]制造抗蝕圖案的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010133044.3 | 申請日: | 2010-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN101834121A | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 市川幸司;杉原昌子 | 申請(專利權(quán))人: | 住友化學(xué)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L23/522;G03F7/038 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 陳海濤;樊衛(wèi)民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 圖案 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及制造抗蝕圖案的方法。
背景技術(shù)
當(dāng)半導(dǎo)體被微型機(jī)械化時(shí),通常使用平版印刷技術(shù)。圖1為顯示制造抗蝕圖案的現(xiàn)有方法的流程圖。根據(jù)圖1中所示的方法,通過具有透光部分6的掩模4,在具有硅襯底1和抗反射膜2的基礎(chǔ)材料10上形成的抗蝕膜30暴露于光化射線7下,然后顯影,由此形成抗蝕圖案30’。
近年來,當(dāng)利用平版印刷技術(shù)將半導(dǎo)體微型機(jī)械化時(shí),還需要制造更微型化的抗蝕圖案。為了響應(yīng)這種需求,作為實(shí)現(xiàn)形成線寬度為32nm以下抗蝕圖案的方法,已經(jīng)提出了雙圖案法(例如,參見日本專利特開No.2007-311508)。所述雙圖案法是通過實(shí)施兩次圖案轉(zhuǎn)印步驟而形成目標(biāo)抗蝕圖案的方法。根據(jù)雙圖案法,例如借助于普通曝光和顯影,以兩倍于目標(biāo)間距的間距形成第一抗蝕圖案,其后在所述第一抗蝕圖案的線之間的空間中,通過再次進(jìn)行曝光和顯影而形成具有相同間距的第二抗蝕圖案,由此形成目標(biāo)精細(xì)抗蝕圖案。
另一方面,近來,已經(jīng)提出了化學(xué)放大的正抗蝕組合物,包括:通過以50∶25∶25的摩爾比將2-乙基-2-金剛烷基甲基丙烯酸酯、3-羥基-1-金剛烷基甲基丙烯酸酯和α-甲基丙烯酰基氧-γ-丁內(nèi)酯進(jìn)料并聚合而形成的樹脂;包含三苯基锍1-((3-羥基金剛烷基)甲氧基羰基)二氟甲烷磺酸酯的生酸劑;包含2,6-二異丙基苯胺的猝滅劑;和溶劑(日本專利特開No.2006-257078)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)分成多次來轉(zhuǎn)印圖案的方法,如雙圖案法,盡管能夠形成微型化的抗蝕圖案,但是仍需要進(jìn)一步改進(jìn)圖案形狀。例如,隨著微型化的推進(jìn),要求抗蝕圖案的橫截面保持更精確接近于矩形的形狀。然而,根據(jù)常規(guī)方法,難以在微型化的同時(shí)還在圖案橫截面形狀這一問題上達(dá)到足夠水平。
鑒于此,本發(fā)明旨在提供制造抗蝕圖案的方法,其能夠獲得充分微型化且具有優(yōu)異形狀的抗蝕圖案。
本發(fā)明提供了通過重復(fù)進(jìn)行形成圖案化抗蝕膜的工序制造抗蝕圖案的方法,所述工序依次包括如下步驟(1)、(2)和(3):
(1)形成抗蝕膜并將形成的抗蝕膜曝光;
(2)對所述曝光的抗蝕膜加熱;和
(3)通過堿性顯影對所述抗蝕膜進(jìn)行圖案化處理,
其中重復(fù)所述工序n個循環(huán)(n為2以上的整數(shù)),以獲得抗蝕圖案;
其中形成圖案化抗蝕膜的工序的n個循環(huán)中,在至少從第一個循環(huán)到第(n-1)個循環(huán)中,在所述步驟(3)之后,還可以實(shí)施步驟(4):
(4)對所述圖案化抗蝕膜加熱;且
其中在形成圖案化抗蝕膜工序的n個循環(huán)中的至少一個循環(huán)中,在步驟(1)中曝光的抗蝕膜是通過將抗蝕組合物成層(layering)而形成的膜,所述組合物含有樹脂(B)、光生酸劑(A)和交聯(lián)劑(C),其中所述樹脂(B)通過酸的作用可溶于堿性水溶液中且重均分子量為7,000~10,000、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為150~200℃。
在制造本發(fā)明抗蝕圖案的方法中,通過將圖案的形成劃分成n個循環(huán),能夠?qū)D案微型化。當(dāng)在形成抗蝕圖案的工序的n個循環(huán)的至少第一循環(huán)到第(n-1)個循環(huán)中,在所述步驟(3)之后還實(shí)施所述步驟(4)時(shí),提高了制得的圖案化抗蝕膜的耐溶劑性;因此,當(dāng)涂布抗蝕組合物以形成下一個抗蝕膜時(shí),阻止了抗蝕膜變形。此外,當(dāng)由具有特定范圍內(nèi)的重均分子量和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的樹脂(B)制成的抗蝕膜至少使用一次時(shí),能夠得到優(yōu)異的矩形圖案形狀。
在本發(fā)明的制造方法中,以及在形成圖案化抗蝕膜工序的第n個循環(huán)中,優(yōu)選在步驟(3)之后實(shí)施步驟(4)。
在所述制造方法中,當(dāng)在第n個循環(huán)中在步驟(3)之后還實(shí)施步驟(4)時(shí),能夠進(jìn)一步提高在第n次形成的抗蝕膜的耐溶劑性。此外,由于第n次的圖案化抗蝕膜的蝕刻速率統(tǒng)一化,所以利用制得的抗蝕圖案作為掩模進(jìn)行機(jī)械加工變得更容易。
在本發(fā)明的制造方法中,為了獲得具有優(yōu)異形狀的抗蝕圖案,在選自形成圖案化抗蝕膜工序的n個循環(huán)中第一個循環(huán)到第(n-1)個循環(huán)的至少一個循環(huán)中的步驟(1)中曝光的抗蝕膜,優(yōu)選是通過將所述抗蝕組合物成層而形成的膜。
在所述制造方法中,當(dāng)在選自所述n個循環(huán)的第一循環(huán)到第(n-1)個循環(huán)中至少一個循環(huán)的步驟(1)中曝光的抗蝕膜是通過將所述抗蝕組合物成層而形成的膜時(shí),在步驟(4)中,所述樹脂(B)因交聯(lián)劑(C)的作用而發(fā)生交聯(lián),由此進(jìn)一步提高了圖案化抗蝕膜的耐溶劑性。
在本發(fā)明的制造方法中,在形成圖案化抗蝕膜工序的第n個循環(huán)的步驟(1)中曝光的抗蝕膜,優(yōu)選是通過將所述抗蝕組合物成層而形成的膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





