[發明專利]一種NMOS管輔助觸發的可控硅電路

無效

• 申請號: 201010130833.1
• 申請日: 2010-03-23
• 公開（公告）號: CN101834181A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 宋波;韓雁;董樹榮;馬飛;黃大海;李明亮;苗萌
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/06;H01L23/60
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種NMOS管輔助觸發的可控硅電路，用于核心電路的ESD防護，其特征在于：包括內嵌NMOS管的可控硅以及由NMOS管(Mn)和PMOS管(Mp)組成的反相器；

所述的內嵌NMOS管的可控硅包括P型襯底(21)，P型襯底(21)上注有P阱(22)和N阱(26)，P阱(22)中從外向內依次設有第一P+注入區(24a)、第四N+注入區(25d)、第三N+注入區(25c)、第三P+注入區(24c)以及第一N+注入區(25a)，N阱上從外向內依次設有第二N+注入區(25b)和第二P+注入區(24b)，除第四N+注入區(25d)和第三N+注入區(25c)之間外，所有注入區通過淺溝槽(23)隔離，第四N+注入區(25d)和第三N+注入區(25c)之間的P阱(22)上設有層疊的SiO₂氧化層(27)和多晶硅層(28)；

NMOS管(Mn)和PMOS管(MP)的柵極連接核心電路的VDD電源線，NMOS管(Mn)和PMOS管(MP)的漏極連接多晶硅層(28)，第一P+注入區(24a)、第一N+注入區(25a)、NMOS管(Mn)的源極和襯底接地，第二P+注入區(24b)、PMOS管(Mp)的源極和襯底連接核心電路的輸入端；第四N+注入區(25d)與第二N+注入區(25b)相連接，第三N+注入區(25c)與第三P+注入區(24c)相連接。