[發明專利]一種降低多晶制絨反射率的方法

無效

• 申請號: 201010129489.4
• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN101794843A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 張軍
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

技術領域

本發明涉及一種降低多晶制絨反射率的方法。

背景技術

太陽能電池發展的重心已經從單晶向多晶方向發展，提高太陽能轉換效率是太陽能電池制造領域所要考慮的重要問題，一般采用降低太陽能電池片表面的反射率來提高光電轉換效率，對于單晶硅，可應用各向異性化學腐蝕的方法在表面形成金字塔狀的絨面結構，降低表面的反射率，但是對于多晶硅，由于其晶向偏離，一般無法用常規的方法形成金字塔狀的絨面，常規的多晶硅太陽能電池主要采用酸制絨的方式形成酸制絨絨面，但這種酸制絨絨面的反射率較高，一般在20％～25％，大大地影響了太陽能電池的轉換效率。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：克服現有技術的不足，提供一種降低多晶制絨反射率的方法，用其方法制作的多晶片表面的反射率較低，用其多晶片制作的太陽能電池的轉換效率較高。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種降低多晶制絨反射率的方法，用于降低多晶片表面制絨后的反射率，具有以下步驟：

A、酸制絨：采用由多晶硅制成的多晶片，將多晶片進行酸制絨處理，使多晶片單面腐蝕深度為3～5微米，多晶片表面形成酸制絨絨面；

B、堿制絨：將已進行酸制絨處理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中處理10～30分鐘，溶液溫度為70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔絨面。

本發明的有益效果是：采用本發明的方法可以使多晶片表面同時得到金字塔絨面和酸制絨絨面，金字塔絨面的反射率遠低于酸制絨絨面的反射率，所以采用本發明的方法制成的多晶片表面的反射率較低，用其多晶片制作的太陽能電池的轉換效率較高。

具體實施方式

一種降低多晶制絨反射率的方法，用于降低多晶片表面制絨后的反射率，具有以下步驟：

A、酸制絨：采用由多晶硅制成的多晶片，將多晶片進行酸制絨處理，使多晶片單面腐蝕深度為3～5微米，多晶片表面形成酸制絨絨面，酸制絨絨面的反射率在20％～25％；

B、堿制絨：將已進行酸制絨處理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中處理10～30分鐘，溶液溫度為70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔絨面。

金字塔絨面的反射率遠低于酸制絨絨面的反射率，這樣就可以降低多晶片的整體反射率。