[發明專利]微電容MOS變容管和變容二極管的短路去嵌測試結構

有效

• 申請號: 201010124713.0
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN102194798A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 蔣立飛;吳顏明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L29/93;H01L29/94
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種微電容MOS變容管和變容二極管的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述短路去嵌測試結構包括：多個金屬層，

所述多個金屬層包括頂金屬層，位于所述頂金屬層下的第1金屬層和所述頂金屬層與所述第1金屬層之間的至少一個中間金屬層，所述第1金屬層包括一個回路，

所述頂金屬層分為四個互不相連的區域，所述區域包括：分別與兩個信號端口連接的第1信號端口頂金屬層區域和第2信號端口頂金屬層區域，及分別將位于所述兩個信號端口連線方向同側的兩個相鄰接地端口連接在一起的兩個接地端口頂金屬層區域，

所述中間金屬層包括位于所述第1信號端口頂金屬層區域下的第1信號端口中間金屬層區域中的中間金屬層區段和位于所述第2信號端口頂金屬層區域下的第2信號端口中間金屬層區域中的中間金屬層區段，及位于相應所述接地端口頂金屬層區域下的接地端口中間金屬層區域中的中間金屬層區段，

所述第1信號端口中間金屬層區域和所述第2信號端口中間金屬層區域中的距離所述第1金屬層的回路最近的中間金屬層區段連通，

所述接地端口頂金屬層區域和所述接地端口中間金屬層區域中的中間金屬層區段及所述第1金屬層的回路逐層連接，

所述第1信號端口頂金屬層區域與所述第1信號端口中間金屬層區域中的中間金屬層區段逐層連接，和所述第2信號端口頂金屬層區域與所述第2信號端口中間金屬層區域中的中間金屬層區段逐層連接，

所述第1信號端口中間金屬層區域和所述第1金屬層的回路連接，所述第2信號端口中間金屬層區域和所述第1金屬層的回路斷開，

所述接地端口中間金屬層區域中的中間金屬層區段的范圍在相應的所述接地端口頂金屬層區域的覆蓋范圍內。

2.根據權利要求1所述的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述中間金屬層有7個，包括：按與所述第1金屬層的回路之間的距離由小到大依次排列為第2金屬層至第8金屬層；

所述第1信號端口中間金屬層區域中的第2金屬層區段和第2信號端口中間金屬層區域中的第2金屬層區段連通，

所述第1信號端口中間金屬層區域和第2信號端口中間金屬層區域中的第8金屬層區段至第3金屬層區段的范圍相應在所述第1信號端口頂金屬層區域和所述第2信號端口頂金屬層區域的覆蓋范圍內。

3.根據權利要求2所述的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述頂金屬層與所述第8金屬層間通過直徑較大的雙列通孔連接，所述第8金屬層至第1金屬層間通過直徑較小的三列通孔連接。

4.根據權利要求1所述的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述多個金屬層之間通過通孔連接。

5.根據權利要求1所述的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述第2信號端口中間金屬層區域中距離所述第1金屬層的回路最近的中間金屬層區段與所述第1金屬層的回路間留有通孔。

6.根據權利要求1所述的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述接地端口中間金屬層區域中的中間金屬層區段有相同的結構和連接關系。

7.根據權利要求1所述的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述多個金屬層的尺寸與所述微電容MOS變容管或變容二極管的尺寸相匹配。

8.根據權利要求7所述的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述多個金屬層的尺寸包括所述多個金屬層的寬度和長度。

9.根據權利要求1所述的短路去嵌測試結構，其特征在于，所述變容二極管包括PN結變容二極管。