[發明專利]沉積掩模無效
| 申請號: | 201010123804.2 | 申請日: | 2010-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN101824591A | 公開(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發明(設計)人: | 李相信;高政佑;姜澤教;洪承柱 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C16/04 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;薛義丹 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 | ||
技術領域
本發明的各方面涉及一種沉積掩模。
背景技術
在形成顯示裝置的薄膜的各種方法中,通過使用掩模來沉積目標材料的形成薄膜圖案的方法是通常使用的。通過使掩模在沉積基板(例如,顯示裝置的基板)上排列并且通過掩模將目標材料涂覆到沉積基板來執行使用掩模的通常的沉積,以在沉積基板上形成具有期望的圖案的薄膜。
掩模包括框架以及固定到該框架并具有預定圖案的掩模板。通常來講,該框架具有預定的厚度、正方形的形狀以及形成在框架中心的開口。掩模板的邊緣固定到框架并與之接觸,從而形成掩模。
如此形成的掩模被堆疊到沉積基板上,并且通過在沉積基板上沉積目標材料形成薄膜。薄膜具有與形成在掩模板上的圖案對應的圖案。因而,為了精細沉積,可以使掩模緊密地附于沉積基板。
然而,當形成或使用掩模時,可能將污染物插入到掩模框架和掩模板之間。這樣的污染物可能阻止掩模在沉積基板上適當地定位。即,當掩模在沉積基板上堆疊時,污染物在掩模和沉積基板之間形成間隙。由于該間隙,在圖案化過程中產生的陰影擾亂薄膜的圖案化,這導致缺陷。
發明內容
本發明的各方面提供了一種沉積掩模,該沉積掩模防止在掩模框架和掩模板之間的污染物擾亂圖案化。
根據本發明的示例性實施例,沉積掩模包括:掩模板;固定到掩模板的周邊(perimeter)并與之接觸的框架。框架包括附于掩模板的接觸表面以及在接觸表面和形成在框架中心的開口之間延伸的非接觸表面。非接觸表面可以相對于掩模板的平面形成角度。
根據本發明的另一示例性實施例,沉積掩模包括:掩模板;固定到掩模板并與掩模板接觸的框架。框架包括具有非接觸表面的主體,以及從主體延伸并且形成附于掩模板的接觸表面的突起。
根據本發明的又一示例性實施例,沉積掩模包括:掩模板;固定到掩模板的周邊并與掩模板接觸的框架。框架包括附于掩模板的接觸表面,以及從接觸表面延伸并且相對于掩模板的平面形成角度的非接觸表面。
本發明的其他方面和/或優點將部分地在后面的描述中提出,部分地通過描述而顯而易見,或者通過本發明的實踐而獲知。
附圖說明
通過下面結合附圖進行的實施例的描述,本發明的這些和/或其他方面和優點將會變得明顯且更易于理解,附圖中:
圖1和圖2分別是根據本發明示例性實施例的掩模的分解透視圖和裝配平面圖;
圖3是沿圖2中的線A-A′截取的剖視圖;
圖4是根據本發明另一示例性實施例的掩模的剖視圖。
具體實施方式
現在將詳細說明本發明的示例性實施例,在附圖中示出了本發明的示例,其中,相同的標號始終表示相同的元件。通過參照附圖來描述下面的示例性實施例,以解釋本發明的各個方面。
圖1和圖2分別是根據本發明示例性實施例的掩模1的分解透視圖和裝配平面圖。圖3是沿圖2中的線A-A′截取的剖視圖。參照圖1至圖3,掩模1包括具有預定圖案的掩模板10,以及固定到掩模板10的周邊并與之接觸的框架30。
框架30和掩模板10示出為基本上是矩形。然而,框架30和掩模板10可以是圓形或多邊形的,只要它們的形狀對應。
框架30具有接觸表面33和非接觸表面34,它們均大體上面對掩模板10。接觸表面33附于掩模板10,并且基本平行于掩模板10的平面延伸。開口31被限定在框架30的中心。非接觸表面34從接觸表面33向開口31延伸。非接觸表面34相對掩模板10的平面呈一個角度(角α)設置。具體來講,非接觸表面34傾斜,這樣非接觸表面34的第一邊緣(設置為與接觸表面33相鄰)距離掩模板10比非接觸表面34的相對的第二邊緣(設置為與開口31相鄰)距離掩模板10近。非接觸表面34的面積可以大于接觸表面33的面積。
通常地設置非接觸表面34的角α,從而在非接觸表面34上的污染物不與掩模板10接觸,因而在掩模板10中形成突起。為此目的,本領域技術人員可以根據工作環境來選擇非接觸表面34的角α。例如,角α通常小于90度,從而非接觸表面34面朝掩模板10。
可以將掩模板10劃分為具有預定圖案的陣列區域11,以及圍繞陣列區域11設置的沒有預定圖案的非陣列區域13。非陣列區域13的邊緣固定到框架30并與之接觸。具體來講,非陣列區域13的周邊被固定到框架30的接觸表面33。
現在將描述形成掩模1的方法。首先,將掩模板10的陣列區域11與框架30的開口31對齊。
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