[發(fā)明專(zhuān)利]一種閃存

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010123688.4
• 申請(qǐng)日: 2010-03-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101800225A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張博
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/115
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/115;H01L29/49
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種閃存，其特征在于包括：

襯底和形成于所述襯底內(nèi)的第一漏極區(qū)、源極區(qū)和第二漏極區(qū)，所述源極區(qū)位于所述第一漏極區(qū)和所述第二漏極區(qū)之間；

分別從所述第一漏極區(qū)、所述源極區(qū)和所述第二漏極區(qū)引出的第一漏極、源極和第二漏極；

控制柵，位于所述第一漏極區(qū)和所述第二漏極區(qū)之間；

浮柵，位于所述源極區(qū)之上，所述浮柵包括第一浮柵和第二浮柵，所述第一浮柵和所述第二浮柵之間用所述控制柵隔離；

第一選擇柵，位于所述第一漏極和所述源極之間；

第二選擇柵，位于所述源極和所述第二漏極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存，其特征在于：所述浮柵的材料為納米硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存，其特征在于：所述源極通過(guò)金屬引線(xiàn)分別和所述第一漏極、所述第二漏極相連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存，其特征在于：所述閃存還包括填充氧化物，所述填充氧化物覆蓋于所述第一漏極、所述源極、所述第二漏極、所述控制柵、所述浮柵、所述第一選擇柵和所述第二選擇柵之上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存，其特征在于：在對(duì)所述閃存進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，所述第一選擇柵和所述第二選擇柵上施加的電壓的范圍均是0V至20V，所述控制柵上施加的電壓的范圍是4V至20V，所述源極上施加的電壓的范圍是2至20V，所述第一漏極和所述第二漏極上施加的電壓的范圍均是0V至19V。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存，其特征在于：在對(duì)所述閃存進(jìn)行清零操作時(shí)，所述第一選擇柵和所述第二選擇柵上電壓懸空，所述控制柵上施加的電壓的范圍是4V至20V，所述源極上施加的電壓的范圍是0至10V，所述第一漏極和所述第二漏極上施加的電壓的范圍均是0V至10V。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存，其特征在于：在對(duì)所述閃存進(jìn)行讀入操作時(shí)，所述第一選擇柵和所述第二選擇柵上施加的電壓的范圍是1V至10V，所述控制柵上施加的電壓的范圍是1V至10V，所述源極上施加的電壓的范圍是0至10V，所述第一漏極和所述第二漏極上施加的電壓的范圍均是0V至10V。