[發明專利]金屬層下介電層測試結構有效
| 申請號： | 201010123607.0 | 申請日： | 2010-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN102194795A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 胡其欣;楊莉娟;何蓮群 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 層下介電層 測試 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬層下介電層測試結構，包括：襯底，位于所述襯底之上的柵極結構，位于所述襯底和所述柵極結構之上的多級金屬連線層，位于所述多級金屬連線層間的互連通孔和層間介電層，以及位于頂層金屬層之上的壓焊點，其特征在于，所述多級金屬連線層間的互連通孔未實現各金屬互連線層間的電性互連。
2.如權利要求1所述的金屬層下介電層測試結構，其特征在于，所述襯底內具有有源區。
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