[發明專利]化合物半導體封裝結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010123281.1
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN102194964A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 陳志明
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種化合物半導體組件封裝結構，包含一基板、至少一個化合物半導體晶粒及一反射杯，該基板具有第一表面及相對于第一表面之第二表面，該反射杯位于該基板的第一表面并圍繞化合物半導體晶粒形成一功能區，其特征在于：還包括復數個位于該基板內的金屬柱，這些金屬柱導通所述基板的第一表面及第二表面；一反射層，覆蓋于所述反射杯及功能區表面。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體組件封裝結構，其特征在于：還包含一金屬層位于該基板與該反射杯之間。

3.根據權利要求2所述的化合物半導體組件封裝結構，其特征在于：所述金屬層包含第一導電區域及第二導電區域。

4.根據權利要求3所述的化合物半導體組件封裝結構，其特征在于：所述第一導電區域及第二導電區域于所述功能區位置，且部分露出所述反射層。

5.根據權利要求1所述的化合物半導體組件封裝結構，其特征在于：所述基板為氧化鋁基板、氮化鋁基板或是片狀陶瓷板堆棧。

6.根據權利要求1-5任一項所述的化合物半導體組件封裝結構，其特征在于：所述反射層之材料為二氧化硅(SiO₂)、氧化硼(B₂O₃)及氧化鎂(MgO)之混合物。

7.根據權利要求1-5任一項所述的化合物半導體組件封裝結構，其特征在于：所述金屬柱之材料可為銀(Ag)、鎳(Ni)、銅(Cu)、錫(Sn)、鋁(Al)或前述金屬之合金。

8.一種化合物半導體組件封裝結構的制造方法，包含：

提供一基板，該基板具有第一表面及相對于第一表面之第二表面；

形成復數個導通孔導通該基板之該第一表面及該相對于第一表面之第二表面；

充填金屬材料于該復數個導通孔形成復數個金屬柱；

形成一反射杯于該基板之第一表面并產生一功能區；

形成一反射層于該反射杯及該功能區表面，并暴露第一電極區域與第二電極區域；

固接至少一化合物半導體晶粒于該功能區上；以及

覆蓋一透明膠于該至少一個以上之化合物半導體晶粒。

9.根據權利要求8所述的化合物半導體組件封裝結構制造方法，其特征在于：還包含形成一金屬層介于該反射杯與該基板之間。

10.根據權利要求8所述的化合物半導體組件封裝結構制造方法，其特征在于：所述金屬層包含第一導電區域及第二導電區域。

11.根據權利要求8-10任一項所述的之化合物半導體組件封裝結構制造方法，其特征在于：還包含形成第一金屬墊片及第二金屬墊片位于該基板之第二表面。