[發明專利]基板緩沖單元無效
| 申請號: | 201010123013.X | 申請日: | 2010-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN101826448A | 公開(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發明(設計)人: | 宮原昭德 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 緩沖 單元 | ||
1.一種基板緩沖單元,其用于對在基板輸送路徑中輸送的 基板進行臨時收容,使該基板自上述基板輸送路徑退避,其特 征在于,
包括:
箱狀的殼體,其上表面開放;
載置部,其用于載置從上述基板輸送路徑被搬入到上述殼 體內的基板;
箱狀的架子部,其被設置成能夠將上述載置部移動到從上 述基板輸送路徑離開的規定位置;
空氣導入口,其設置在上述架子部的一側面上,用于向上 述載置部導入清潔空氣;
排氣部件,其連接于上述架子部,用于抽吸該架子部內的 清潔空氣而將該清潔空氣從上述架子部的一側面側強制地導 入,向一個方向流動,并將該清潔空氣排出到上述殼體外;
排氣窗,其設置在上述殼體側面的比上述架子部靠下方的 位置上,用于排出從上述架子部的上方流動來的未被導入到上 述架子部內而流到上述架子部的下方的清潔空氣。
2.根據權利要求1所述的基板緩沖單元,其特征在于,
利用各自開閉自由地設置的多個開閉構件,使上述排氣窗 的開口面積可多級地改變。
3.根據權利要求2所述的基板緩沖單元,其特征在于,
上述基板緩沖單元包括用于檢測上述殼體內的上部空間和 下部空間的氣壓或者上述殼體內的上部空間和下部空間中的任 一個的氣壓的氣壓檢測部件、能夠針對每個上述開閉構件進行 開閉驅動的開閉驅動部件、以及至少控制上述開閉驅動部件和 上述排氣部件中的任一個的控制部件;
上述控制部件根據上述氣壓檢測部件的檢測結果與規定的 氣壓值的比較結果,至少決定上述排氣窗的開口面積和上述排 氣部件的排氣輸出中的任一個,至少控制上述開閉驅動部件和 上述排氣部件中的任一個。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的基板緩沖單元,其特 征在于,
在上述箱狀架子部的側面上設有第一整流板,該第一整流 板用于將在該架子部的側方流下的清潔空氣引導到上述排氣 窗。
5.根據權利要求1~3中任一項所述的基板緩沖單元,其特 征在于,
在上述箱狀架子部的上表面上設有第二整流板,該第二整 流板用于將從上方流下的清潔空氣引導到該架子部的側方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





