[發明專利]一種虛擬源地電壓產生電路有效
| 申請號： | 201010121446.1 | 申請日： | 2010-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN101789696A | 公開（公告）日： | 2010-07-28 |
| 發明（設計）人： | 楊光軍 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/158 | 分類號： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 虛擬 源地 電壓 產生 電路 | ||
1.一種虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，包含：
高低電壓產生電路，由極性相反的兩反相器電路并聯組成，用于產生一高 電壓及一低電壓；
分離電路，用于依據所述高電壓及低電壓輸出源電壓或地電壓。
2.如權利要求1所述的虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，所述分離 電路為或門電路。
3.如權利要求2所述的虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，所述或門 電路為至少由兩個PMOS管并聯組成。
4.如權利要求2所述的虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，所述或門 電路為或門。
5.如權利要求1所述的虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，所述分離 電路為與門電路。
6.如權利要求5所述的虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，所述與門 電路至少由兩個NMOS并聯組成。
7.如權利要求5所述的虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，所述與門 電路為與門。
8.如權利要求1所述的虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，所述分離 電路由與門電路及或門電路組成。
9.如權利要求8所述的虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，所述與門 電路為與門，所述或門電路為或門。
10.一種虛擬源地電壓產生電路，其特征在于，包含：
高低電壓產生電路，由極性相反的兩反相器電路并聯組成，用于產生一高 電壓及一低電壓；
分離電路，用于依據所述高電壓及低電壓輸出源電壓和地電壓。
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