[發明專利]多模全差分放大器

有效

• 申請號: 201010118766.1
• 申請日: 2010-03-05
• 公開（公告）號: CN101771388A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 王勇;胡少堅;周偉;陳壽面;趙宇航
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種多模全差分放大器，所述放大器包括相互并聯的第一電路和第二 電路，所述第一電路包括第一晶體管、第三晶體管和第五晶體管，所述第三 晶體管和所述第五晶體管并聯后和所述第一晶體管串聯；所述第二電路包括 第二晶體管、第四晶體管和第六晶體管，所述第四晶體管和所述第六晶體管 并聯后和所述第二晶體管串聯；

其特征在于：

所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、 所述第五晶體管和所述第六晶體管的基區摻雜材料為鍺；

所述放大器還包括第一偏置端、第二偏置端、第三偏置端和第四偏置端， 所述第一偏置端和所述第一晶體管的基極相連，所述第二偏置端和所述第二 晶體管的基極相連，所述第三偏置端和所述第三晶體管的基極上連接的負載 電阻相連，所述第四偏置端和所述第四晶體管的基極上連接的負載電阻相連。

2.根據權利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述第一晶體 管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管 和所述第六晶體管均為雙極型晶體管。

3.根據權利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器還 包括第一電感和第二電感，所述第一電感一端和所述第一晶體管的發射極相 連，另一端接地；所述第二電感一端和所述第二晶體管的發射極相連，另一 端接地。

4.根據權利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器還 包括第三電感和第四電感，所述第三電感的一端和所述第一晶體管的基極相 連，另一端和第一輸入端相連；所述第四電感的一端和所述第二晶體管的基 極相連，另一端和第二輸入端相連。

5.根據權利要求4所述的多模全差分放大器，其特征在于所述第一輸入 端和所述第一晶體管之間以及所述第二輸入端和所述第二晶體管之間，均設 置一電容。

6.根據權利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器還 包括第五電感和第六電感，所述第五電感的一端和所述第三晶體管的集電極 相連，另一端和電源相連；所述第六電感的一端和所述第四晶體管的集電極 相連，另一端和電源相連。

7.根據權利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述第三晶體 管、所述第四晶體管、所述第五晶體管和所述第六晶體管的基極均連接一負 載電阻。

8.根據權利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器還 包括第一輸出端和第二輸出端，所述第一輸出端和所述第三晶體管的集電極 相連，所述第二輸出端和所述第四晶體管的集電極相連。

9.根據權利要求8所述的多模全差分放大器，其特征在于所述第一輸出 端和所述第三晶體管的集電極之間以及所述第二輸出端和所述第四晶體管的 集電極之間，均設置一電容。

10.根據權利要求1所述的多模全差分放大器，其特征在于所述放大器 還包括第一MOS管、第二MOS管、第一控制端和第二控制端，所述第一MOS 管的源極和所述第一晶體管的柵極相連，所述第一MOS管的柵極和所述第一 控制端相連，所述第一MOS管的漏極接地；所述第二MOS管的源極和所述第 二晶體管的柵極相連，所述第二MOS管的柵極和所述第二控制端相連，所述 第二MOS管的漏極接地。