[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010118527.6
• 申請(qǐng)日: 2007-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN101794790A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遠(yuǎn)藤真人;荒井史隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

第一絕緣膜，其設(shè)置在單元晶體管區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底上；

第一導(dǎo)電膜，其設(shè)置在所述第一絕緣膜上；

第二絕緣膜，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電膜上；

控制柵極電極，其包括第二導(dǎo)電膜和在所述第二導(dǎo)電膜上的第三導(dǎo)電 膜，所述第二導(dǎo)電膜被設(shè)置在所述第二絕緣膜上，所述第三導(dǎo)電膜包括第 一金屬硅化物膜；

第一源極/漏極區(qū)域，其形成在所述半導(dǎo)體襯底的表面上，并夾住在所 述第一絕緣膜之下的區(qū)域；

第三絕緣膜，其設(shè)置在選擇柵極晶體管區(qū)域和外圍晶體管區(qū)域中的至 少一個(gè)中的所述半導(dǎo)體襯底上；

柵極電極，其包括第四導(dǎo)電膜和在所述第四導(dǎo)電膜上的第五導(dǎo)電膜， 所述第四導(dǎo)電膜被設(shè)置在所述第三絕緣膜上，所述第五導(dǎo)電膜包括多晶硅 膜和在所述多晶硅膜的頂表面上的第二金屬硅化物膜；

第二源極/漏極區(qū)域，其形成在所述半導(dǎo)體襯底的所述表面上，并夾住 在所述第三絕緣膜之下的區(qū)域；以及

側(cè)壁絕緣膜，形成在所述第三導(dǎo)電膜的側(cè)表面上，

其中，所述第一和第四導(dǎo)電膜包括相同的材料，以及所述第一和第二 金屬硅化物膜包括相同的材料，并且所述側(cè)壁絕緣膜的上表面高于所述第 二絕緣膜的上表面并低于所述第三導(dǎo)電膜的上表面，

所述第五導(dǎo)電膜的寬度大于所述第三導(dǎo)電膜的寬度，

其中所述第二金屬硅化物膜還形成在所述第五導(dǎo)電膜的每一個(gè)側(cè)表 面上，在所述第五導(dǎo)電膜的側(cè)表面上的所述第二金屬硅化物膜的沿垂直方 向的厚度等于所述第一金屬硅化物膜的沿垂直方向的厚度，以及所述第一 金屬硅化物膜的沿垂直方向的厚度大于在所述第五導(dǎo)電膜的所述頂表面 上的所述第二金屬硅化物膜的沿垂直方向的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其特征在于：

所述第一金屬硅化物膜具有方形形狀，以及所述第二金屬硅化物膜具 有凹口向下的凹形形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其特征在于：

所述第三導(dǎo)電膜包括：覆蓋所述第二絕緣膜的頂表面的第一部分，和 覆蓋所述第一部分的頂表面的第二部分，以及

所述第一金屬硅化物膜占據(jù)所述第三導(dǎo)電膜的所述第二部分的整個(gè) 部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其特征在于還包括：

多個(gè)層疊的柵極電極結(jié)構(gòu)，每一個(gè)具有所述第二導(dǎo)電膜、所述第二絕 緣膜、以及包括所述第一金屬硅化物膜的所述第三導(dǎo)電膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的器件，其特征在于：

形成在多個(gè)所述層疊的柵極結(jié)構(gòu)之間的沿垂直方向的所述側(cè)壁絕緣 膜的所述上表面等于形成在第五導(dǎo)電膜的所述側(cè)表面上的沿垂直方向的 所述側(cè)壁絕緣膜的上表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4的器件，其特征在于：

所述側(cè)壁絕緣膜的下表面低于所述第二導(dǎo)電膜的下表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求4的器件，其特征在于還包括：

空隙，其具有位于所述側(cè)壁絕緣膜的上表面處的開口，并延伸到所述 側(cè)壁絕緣膜的中間，以及

二氧化硅膜，其覆蓋所述第三導(dǎo)電膜的所述上表面和側(cè)表面，并覆蓋 所述側(cè)壁絕緣膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其特征在于：

所述二氧化硅膜被形成在所述空隙中。