[發明專利]半導體器件有效
| 申請號: | 201010118042.7 | 申請日: | 2010-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN102194817A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 程仁豪 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人: | 董巍;顧珊 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件,包括:
襯底;
在所述襯底中形成的多個淺隔離溝槽;
在所述襯底中形成的多個有源區,所述相鄰的有源區通過所述多個淺隔離溝槽間隔開;
在所述多個淺隔離溝槽上形成的多晶硅層;
在所述有源區和多晶硅層上形成的多層層間介電層和夾在相鄰層間介電層之間的第一金屬層;
在位于頂層的層間介電層上形成的第二金屬層,用于形成平面電感;
所述有源區和多晶硅層通過在層間介電層中形成的接觸孔接地從而形成圖案化接地屏蔽層。
2.根據權利要求1的半導體器件,其中所述電感器選自螺旋電感、兩端差分電感和三端差分電感器。
3.根據權利要求1的半導體器件,其中所述電感器是16邊形螺旋形狀。
4.根據權利要求3的半導體器件,其中所述電感器是正16邊形螺旋形狀。
5.根據權利要求2的半導體器件,其中所述三端差分電感具有中心抽頭。
6.根據權利要求1的半導體器件,其中所述電感器的匝數是2.5。
7.一種包含通過如權利要求1所述的半導體器件的集成電路,其中所述集成電路選自隨機存取存儲器、動態隨機存取存儲器、同步隨機存取存儲器、靜態隨機存取存儲器、只讀存儲器、可編程邏輯陣列、專用集成電路、掩埋式DRAM和射頻電路。
8.一種包含通過如權利要求1所述的半導體器件的電子設備,其中所述電子設備個人計算機、便攜式計算機、游戲機、蜂窩式電話、個人數字助理、攝像機和數碼相機。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





