[發(fā)明專利]側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010117902.5
• 申請日: 2010-03-04
• 公開（公告）號: CN102194962A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝明村;曾文良;陳隆欣;林志勇
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/56;H01L33/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一硅基板，具有一第一面、一與該第一面相對的第二面以及一分別與該第一、二面相鄰的第三面，其中該第一面與該第二面分別為一平面；

至少一第一發(fā)光元件，設(shè)置于該硅基板之該第一面；

至少一第二發(fā)光元件，設(shè)置于該硅基板之該第二面；以及

一電路結(jié)構(gòu)，包括第一電路結(jié)構(gòu)、第二電路結(jié)構(gòu)和第三電路結(jié)構(gòu)，該第一電路結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第一面且和該至少一第一發(fā)光元件電連結(jié)，該第二電路結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第二面且和該至少一第二發(fā)光元件電連結(jié)，該第三電路結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第三面，該第一、二電路結(jié)構(gòu)通過該第三電路結(jié)構(gòu)和外部電路電連結(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：

該第一電路包括一第一承載部以及一第一連結(jié)部，并且該第一承載部與該第一連結(jié)部彼此電性分離；以及

該第二電路結(jié)構(gòu)包括一第二承載部以及一第二連結(jié)部，并且該第二承載部與該第二連結(jié)部彼此電性分離。

3.根據(jù)權(quán)利要求第2項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：該第三電路結(jié)構(gòu)具有一第三連結(jié)部以及一第四連結(jié)部，其中該第三連結(jié)部與該第四連結(jié)部彼此電性分離，并且該第一承載部系藉由該第三連結(jié)部電性連結(jié)至該第二承載部，而該第一連結(jié)部系藉由該第四連結(jié)部電性連結(jié)至該第二連結(jié)部。

4.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其中該硅基板包含復(fù)數(shù)個孔洞貫穿該第一面至該第二面，并且該第一電路結(jié)構(gòu)系藉由該復(fù)數(shù)個孔洞，電性連結(jié)該第二電路結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，更包含：

一第一反射層，位于該硅基板與該第一電路結(jié)構(gòu)之間；

一第二反射層，位于該硅基板與該第二電路結(jié)構(gòu)之間；一第一絕緣層，位于該第一反射層與該第一電路結(jié)構(gòu)之間；

一第二絕緣層，位于該二反射層與該第二電路結(jié)構(gòu)之間；以及

一第三絕緣層，位于該三電路結(jié)構(gòu)與該硅基板之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求第5項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其中該硅基板包含復(fù)數(shù)個孔洞貫穿該第一面至該第二面，且該第一電路結(jié)構(gòu)系藉由該復(fù)數(shù)個孔洞電性連結(jié)該第二電路結(jié)構(gòu)，并且該第一絕緣層系藉由該復(fù)數(shù)個孔洞延伸至該第二絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，更包含一第一覆蓋層形成于該第一面上，并且該第一覆蓋層系包覆該至少一第一發(fā)光元件以及至少一部份之該第一電路結(jié)構(gòu)，以及一第二覆蓋層形成于該第二面上，并且該第二覆蓋層系包覆該至少一第二發(fā)光元件以及至少一部份之該第二電路結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求第7項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一覆蓋層以及該第二覆蓋層分別為一透明結(jié)構(gòu)，并且其材質(zhì)為硅、玻璃、環(huán)氧樹脂、可透光之材料或其組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求第7項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一覆蓋層包含至少一第一波長轉(zhuǎn)換單元，而該第二覆蓋層包含至少一第二波長轉(zhuǎn)換單元，并且該第一波長轉(zhuǎn)換單元以及該第二波長轉(zhuǎn)換單元分別為釔鋁石榴石(YAG)、鋱鋁石榴石(TAG)、硅酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或其組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的側(cè)向發(fā)光之半導(dǎo)體組件封裝結(jié)構(gòu)，其中該至少一第一發(fā)光元件以及該至少一第二發(fā)光元件分別為半導(dǎo)體發(fā)光組件、發(fā)光二極管、雷射發(fā)光二極管或其組合。