[發(fā)明專利]具有掩埋柵極的半導(dǎo)體器件及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010117731.6
• 申請(qǐng)日: 2010-02-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101814493A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓尚燁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/04
• 分類號(hào): H01L27/04;H01L27/108;H01L21/28;H01L21/822;H01L21/8242
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

具有由器件隔離層限定的有源區(qū)的襯底；

通過(guò)蝕刻所述有源區(qū)和所述器件隔離層形成的溝槽；

填充所述溝槽的一部分的掩埋柵極；

在所述掩埋柵極上形成并填充所述溝槽的其余部分的層間絕緣層；和

在所述掩埋柵極和所述器件隔離層之間形成的防氧化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防氧化層包括由氮化物基材料形成的絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防氧化層包括氧氮化硅層(SiON)。

4.一種半導(dǎo)體器件，包括：

具有由器件隔離層限定的有源區(qū)的襯底；

通過(guò)蝕刻所述有源區(qū)和所述器件隔離層形成的溝槽；

填充所述溝槽的一部分的掩埋柵極；

在所述掩埋柵極上形成并填充所述溝槽的其余部分的層間絕緣層；和

在所述掩埋柵極和所述層間絕緣層之間形成的防氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防氧化層包括：在低于形成所述層間絕緣層的溫度的溫度下形成的氧化物層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述防氧化層包括金屬氧化物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬氧化物層包括選自Al₂O₃、ZrO₂、Ta₂O₅、Y₂O₃、HfO₂和TiO₂中的至少一種。

8.一種半導(dǎo)體器件，包括：

具有由器件隔離層限定的有源區(qū)的襯底；

通過(guò)蝕刻所述有源區(qū)和所述器件隔離層形成的溝槽；

填充所述溝槽的一部分的掩埋柵極；

在所述掩埋柵極上形成并填充所述溝槽的其余部分的層間絕緣層；

在所述掩埋柵極和所述器件隔離層之間形成的第一防氧化層；和

在所述掩埋柵極和所述層間絕緣層之間形成的第二防氧化層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二防氧化層包括：在低于用于形成所述層間絕緣層的溫度的溫度下形成的氧化物層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二防氧化層包括金屬氧化物層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬氧化物層包括選自Al₂O₃、ZrO₂、Ta₂O₅、Y₂O₃、HfO₂和TiO₂中的至少一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一防氧化層包括氧氮化硅層(SiON)。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

在所述掩埋柵極和所述有源區(qū)之間形成的柵極絕緣層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中所述柵極絕緣層包括氧化硅層和氧氮化硅層(SiON)。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述器件隔離層包括由聚硅氮烷(PSZ)形成的旋涂電介質(zhì)(SOD)。

16.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供具有由器件隔離層限定的有源區(qū)的襯底；

通過(guò)蝕刻所述有源區(qū)和所述器件隔離層形成溝槽；

在所述器件隔離層中的所述溝槽上形成防氧化層；

形成填充所述溝槽的一部分的掩埋柵極；和

在所述掩埋柵極上形成層間絕緣層并填充所述溝槽的其余部分。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述防氧化層包括氧氮化硅層(SiON)。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述氧氮化硅層通過(guò)對(duì)所述器件隔離層實(shí)施氧化工藝和氮化工藝或者對(duì)所述器件隔離層實(shí)施氮化工藝來(lái)形成。