[發明專利]拉曼檢測方法與系統無效
| 申請號: | 201010117179.0 | 申請日: | 2010-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN102156114A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 龐紹華;菲利普·德瑞克 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | G01N21/65 | 分類號: | G01N21/65 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 方法 系統 | ||
1.一種拉曼檢測方法,包括:
提供一流體待測物在一信號增益結構上,其中該信號增益結構包括:一基材、至少一V型溝槽形成于該基材中;
提供一激光光源在該信號增益結構上的該流體待測物以產生一表面增益的拉曼信號;及
以一拉曼光譜儀檢測該拉曼信號。
2.如權利要求1所述的拉曼檢測方法,其中該V型溝槽具有一平底(flatbottom)。
3.如權利要求1所述的拉曼檢測方法,其中該V型溝槽底部具有一尖端(tip)。
4.如權利要求1所述的拉曼檢測方法,其中該V型溝槽的傾斜角度為10~88度。
5.如權利要求1所述的拉曼檢測方法,其中該V型溝槽深度介于1μm~300μm之間。
6.如權利要求1所述的拉曼檢測方法,其中該V型溝槽寬度介于1μm~3000μm之間。
7.如權利要求1所述的拉曼檢測方法,其中該信號增益結構包括多個V型溝槽分布于該基材所形成的V型溝槽陣列。
8.如權利要求7所述的拉曼檢測方法,其中該些V型溝槽的間距介于1μm~3000μm之間。
9.如權利要求7所述的拉曼檢測方法,其中每一V型溝槽的兩側與該基材的上表面等高。
10.如權利要求7所述的拉曼檢測方法,其中該光源的光束直徑大于該V型溝槽陣列的總寬度。
11.一種拉曼檢測系統,用以檢測流體待測物,包括:
一信號增益結構,包括一基材、以及至少一V型溝槽形成于該基材中;以及
一拉曼光譜儀,用于檢測該流體待測物的拉曼信號。
12.如權利要求11所述的拉曼檢測系統,其中該V型溝槽具有一平底(flatbottom)。
13.如權利要求11所述的拉曼檢測系統,其中該V型溝槽底部具有一尖端(tip)。
14.如權利要求11所述的拉曼檢測系統,其中該V型溝槽的傾斜角度為10~88度。
15.如權利要求11所述的拉曼檢測系統,其中該V型溝槽深度介于1μm~300μm之間。
16.如權利要求11所述的拉曼檢測系統,其中該V型溝槽寬度介于1μm~3000μm之間。
17.如權利要求11所述的拉曼檢測系統,其中該信號增益結構包括多個V型溝槽分布于該基材所形成的V型溝槽陣列。
18.如權利要求17所述的拉曼檢測系統,其中該些V型溝槽的間距介于1μm~3000μm之間。
19.如權利要求17所述的拉曼檢測系統,其中每一V型溝槽的兩側與該基材的上表面等高。
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