[發明專利]具有防偽永久存儲選項的非易失性存儲裝置

無效

• 申請號: 201010114050.4
• 申請日: 2010-02-05
• 公開（公告）號: CN101800080A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 沃爾夫岡·克勞斯伯格;邁諾爾夫·布拉瓦;約恩·亞卡斯基;赫伯特·許策
• 申請（專利權）人: 湯姆森許可貿易公司
• 主分類號: G11C16/22
• 分類號: G11C16/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

技術領域

本發明涉及非易失性存儲裝置。更具體地，本發明涉及允許存儲數據和改變已存儲數據的非易失性存儲裝置。

背景技術

這樣的非易失性存儲裝置的示例是電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)，例如，閃存、鐵電隨機訪問存儲器(FeRAM)、磁電阻隨機訪問存儲器(MRAM)或相變存儲器(PRAM)。

這樣的非易失性存儲裝置包括在消費電子設備中，如數字相機、數字視頻攝像機、mp3播放器、移動電話、錄音電話等。

這些存儲裝置允許與供電無關的數據存儲，從而實現了消費電子設備或傳感設備的非常靈活的使用。例如，用戶可以在白天拍攝照片或視頻片段(clip)，并在晚上查看鏡頭(shot)或對鏡頭進行后處理。可以丟棄無價值的鏡頭，并例如通過濾除該鏡頭來提高其他鏡頭的質量。

歐洲專利申請0806772?A2描述了一種用于提供EEPROM的擦除和編程保護來顯著減小無意識擦除和編程的可能性。必須將外部提供的信號提供給集成電路以便使能寫訪問。

美國專利5999477描述了一種提供軟件數據保護功能和一次保護功能的非易失性EEPROM。從存儲器外部通過控制管腳控制的序列發生器控制升壓器的操作，升壓器產生對存儲器元件進行擦除或編程所需的高電壓。當輸出使能輸入處的輸入為非激活并且寫使能輸入處的輸入變為激活時，激活寫操作。

發明內容

盡管對于使用這種存儲裝置的多數應用，改變所存儲的數據的可能性對于廣泛使用是關鍵特征，但是存在期望非可變和永久存儲的應用。例如，在車輛事故之后，事故中所涉及的那些人欲拍攝照片，用于記錄車輛的位置和/或由事故所引起的損壞，以進一步在確定責任或保險索賠中使用。但是，如果以可以使用任何方式操作此類照片的方式來存儲這些照片，照片是無價值的。

因此，提出了根據權利要求1的非易失性存儲裝置。

所述非易失性存儲裝置包括：存儲單元，用于接收訪問改變指示的裝置，以及用于響應于所述訪問改變指示改變對所述存儲單元的訪問的裝置，其中，訪問改變之前的訪問在于，可以將數據存儲在所述存儲單元中，并可以改變已經存儲的數據，在所述訪問改變之后的訪問在于，已經存儲的數據中的至少一些是不可改變的，但仍舊可對其進行讀取，其中，響應于接收所述訪問改變指示，在訪問改變之后，已經存儲的數據中的至少一些是不可逆的(irreversible)。

這使非易失性存儲裝置的使用更加靈活，這是由于其組合了永久、防偽存儲的優點和可擦除存儲的優點。

在實施例中，所述存儲裝置還包括：用于寫控制的裝置，所述裝置響應于所述訪問改變指示產生去激活電壓和/或去激活電流。

在另一實施例中，在接收所述訪問改變指示之后立即產生所述去激活電壓和/或去激活電流。或者，在接收所述訪問改變指示和產生去激活電壓/電流之間實現一些延遲。

在實現所述延遲的又一實施例中，所述訪問改變限于在接收訪問改變指示之后和在訪問改變之前所存儲的數據。

在又一實施例中，其中，所述存儲單元包括具有充電泵的閃速存儲器元件，所述去激活電壓和/或所述去激活電流用于反熔絲的激活，以禁用充電泵。

所述充電泵可以包括源極和漏極連接至反熔絲的至少一個通過晶體管(pass?transistor)，在激活反熔絲之后該源極和漏極短路。

如果所述存儲單元包括：非破壞性讀取的鐵電隨機訪問存儲器元件，和用于產生電場以對所述鐵電隨機訪問存儲器元件進行編程的裝置，所述去激活電壓和/或所述去激活電流可以用于禁用用于產生電場的裝置。

以及，如果所述存儲單元包括：磁電阻隨機訪問存儲器元件，和用于產生電流以對磁電阻隨機訪問存儲器元件進行編程的裝置，所述去激活電壓和/或所述去激活電流可以用于限制由所述用于產生電流的裝置產生的電流。

可以改變存儲裝置，使得在接收所述訪問改變指示之后已經存儲的數據是不可刪除的。

例如，在接收所述訪問改變指示之后將訪問改變成只讀。

本發明還提出了一種根據權利要求10的用于使用非易失性存儲裝置的方法。所述方法包括：允許改變存儲在存儲裝置中的數據，接收訪問改變指示，以及在接收所述訪問改變指示之后禁止改變存儲在存儲裝置中的數據。

在所述方法的示例實施例中，禁止改變包括：響應于所述訪問改變指示，禁用包括在所述存儲裝置的存儲單元中的閃速存儲器元件的充電泵。

禁用充電泵可以包括：使包括在所述充電泵中的至少一個通過晶體管的源極和漏極短路。

以及，短路可以包括：激活連接至所述源極和漏極的反熔絲。

附圖說明