[發明專利]一種以太陽光為曝光光源制作微流控芯片的方法及其應用

無效

• 申請號: 201010112969.X
• 申請日: 2010-02-24
• 公開（公告）號: CN102162997A
• 公開（公告）日: 2011-08-24
• 發明（設計）人: 秦建華;馬靜云;姜雷;李艷峰;林炳承
• 申請（專利權）人: 中國科學院大連化學物理研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/00;C12M3/00
• 代理公司: 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司 21001
• 代理人: 張晨

1.以太陽光為曝光光源制作微流控芯片的方法，將待曝光的光刻膠平板放在與曝光光源相垂直的方向曝光，根據UV能量計檢測到的陽光中UV強度、光刻膠的種類及所需芯片陽模的三維尺寸，優化及校正曝光條件，得到光刻膠上各種微圖案的曝光結果，在此條件下得到的模板用以制作微流控芯片裝置；其特征在于：所述的曝光光源為太陽光。

2.按照權利要求1所述以太陽光為曝光光源制作微流控芯片的方法，其特征在于：所述微圖案的曝光條件的優化，要根據陽光中UV強度、光刻膠的種類及所需芯片陽模的三維尺寸進行優化。

3.權利要求1所述以太陽光為曝光光源制作的微流控芯片有玻璃電泳芯片、PDMS濃度梯度生成芯片及集成氣動微閥的細胞培養芯片。

4.按照權利要求2所述以太陽光為曝光光源制作微流控芯片的方法，其特征在于：所述在陽光紫外強度為1.2mW/cm²條件下，玻璃電泳芯片的模板制作需要對570nm厚的S-1805正膠進行60秒的選擇性曝光。

5.按照權利要求2所述以太陽光為曝光光源制作微流控芯片的方法，其特征在于：所述在陽光紫外強度為1.2mW/cm²條件下，PDMS濃度梯度生成芯片模板為SU-83035、60μm厚時，PDMS濃度梯度生成芯片的曝光時間為120秒。

6.按照權利要求2所述以太陽光為曝光光源制作微流控芯片的方法，其特征在于：所述在陽光紫外強度為1.2mW/cm²條件下，集成氣動微閥的細胞培養芯片的模板制作需要對570nm厚的S-1805正膠進行60秒、40秒的曝光，分別作為集成氣動微閥的細胞培養芯片的液路層、氣路層。