[發明專利]太陽能吸收層的漿料的制造方法、太陽能吸收層及其漿料無效
| 申請號: | 201010111480.0 | 申請日: | 2010-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN101840959A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 陳文仁;楊益郎 | 申請(專利權)人: | 昆山正富機械工業有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 215332 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能 吸收 漿料 制造 方法 及其 | ||
1.一種太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其包括以下步驟:
混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二個成份、三個成份或四個成份的粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一原始混合粉末,且該原始混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第一組成比例,其中該原始混合粉末是由球狀納米顆粒粉末及至少一種非球狀納米顆粒粉末所組成;以及
在該原始混合粉末中添加額外的VIA族元素粉末,并進行混合,以形成一最后混合粉末,且該最后混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第二組成比例,其中該最后混合粉末中的VIA族元素所占的比例是大于該原始混合粉末中的VIA族元素所占的比例。
2.根據權利要求1所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其中所述的原始混合粉末中的第一組成比例為IB族∶IIIA族∶VIA族元素的莫耳比例=1.0∶1.0∶2.0。
3.根據權利要求2所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其中所述的最后混合粉末中的第二組成比例為IB族∶IIIA族∶VIA族元素的莫耳比例=1.0∶1.0∶X,其中X介于2.0至4.0之間。
4.根據權利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其中所述的至少一種非球狀納米顆粒粉末為薄片狀納米顆粒粉末、不規則碎片狀的納米顆粒粉末或圓盤狀納米顆粒粉末。
5.根據權利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其中所述的球狀納米顆粒粉末是占該混合粉末的70%以上。
6.根據權利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其中所述的IB族元素為銅元素。
7.根據權利要求1所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其中所述的IIIA族元素為銦元素、鎵元素、或銦元素與鎵元素的組合。
8.根據權利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其中所述的VIA族元素可為硒元素、硫元素或硒元素與硫元素的組合。
9.根據權利要求3所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法,其特征在于其中所述的太陽能吸收層的漿料為銅銦鎵硒漿料或銅銦鎵硒硫漿料。
10.一種應用根據權利要求1所述的太陽能吸收層的漿料的制造方法所制作成的太陽能吸收層漿料及太陽能吸收層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





