[發明專利]染料敏化太陽能電池工作電極及其制備方法無效
| 申請號: | 201010107827.4 | 申請日: | 2010-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN101872681A | 公開(公告)日: | 2010-10-27 |
| 發明(設計)人: | 祝名偉;陳延峰;葛海雄;袁長勝;盧明輝 | 申請(專利權)人: | 南京大學 |
| 主分類號: | H01G9/04 | 分類號: | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210093*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 染料 太陽能電池 工作 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種染料敏化太陽能電池工作電極,其特征在于:包括導電基底(1),在導電基底(1)上方設有半導體納米晶薄層I(2),在半導體納米晶薄層I(2)上鋪有互相平行的導電微米線或納米線(3),導電微米線或納米線(3)一端或兩端附著在導電基底(1)上,在導電微米線或納米線(3)的上方設有與半導體納米晶薄層I(2)平行的半導體納米晶薄層II(4)。
2.根據權利要求1所述的染料敏化太陽能電池工作電極,其特征在于:所述半導體納米晶薄層I(2)和半導體納米晶薄層II(4)的材料為TiO2、ZnO、SnO、Zr氧化物、Sr氧化物、In氧化物、Ga氧化物、Al氧化物、Y氧化物、W氧化物、V氧化物、Mo氧化物、Sc氧化物、Sm氧化物、Mg氧化物、Nb氧化物、和La氧化物中的任意一個或幾個的組合。
3.根據權利要求1所述的染料敏化太陽能電池工作電極,其特征在于:所述半導體納米晶薄層II(4)的材料為TiO2、ZnO、SnO、Zr氧化物、Sr氧化物、In氧化物、Ga氧化物、Al氧化物、Y氧化物、W氧化物、V氧化物、Mo氧化物、Sc氧化物、Sm氧化物、Mg氧化物、Nb氧化物、和La氧化物中的任意一個或幾個的組合。
4.根據權利要求1所述的染料敏化太陽能電池工作電極,其特征在于:所述導電微米線或納米線(3)的材料為金屬、半導體或導電聚合物。
5.根據權利要求1所述的染料敏化太陽能電池工作電極,其特征在于:所述導電微米線或納米線(3)直徑為30nm~10μm,相互之間距離為500nm~100μm。
6.根據權利要求1所述的染料敏化太陽能電池工作電極的制備方法,其特征是該方法包括以下步驟:
A、在導電基底表面涂覆一層厚度為500nm~50μm的半導體納米晶薄層I;
B、在半導體納米晶薄層I表面制備導電微米線或納米線;
C、在表面制備導電微米線或納米線的半導體納米晶薄層I表面制備厚度為500nm~50μm的半導體納米晶薄層II。
7.根據權利要求6所述的染料敏化太陽能電池工作電極的制備方法,其特征在于:所述步驟A和C中,涂覆的方式為絲網印刷、旋涂、刮涂、噴涂涂膜方式中的任意一種或幾種的組合。
8.根據權利要求6所述的染料敏化太陽能電池工作電極的制備方法,其特征在于:所述步驟B中,制備導電微米線或納米線的方法為光刻結合濺射、印刷、直寫方法中的任意一種或幾種的組合。
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