[發明專利]一種碳/金屬納米顆粒復合薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 201010103838.5 | 申請日： | 2010-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN102140622A | 公開（公告）日： | 2011-08-03 |
| 發明（設計）人： | 楊容;曲江蘭;鄭捷;李星國 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 納米 顆粒 復合 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳/金屬納米顆粒復合薄膜的制備方法，將金屬靶置于一反應室中，然后通入一定流量的惰性氣體和碳源氣體，通過射頻濺射制得碳/金屬納米顆粒復合薄膜。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體是乙炔、乙烯、甲烷或它們的混合氣體。
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體占惰性氣體和碳源氣體總量的摩爾比為2％～20％。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述反應室內的真空壓力控制在1～20Pa。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體和碳源氣體的總流量為10～50sccm。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，射頻電源功率為50-150W。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，射頻濺射時間為3-20min。
9.如權利要求1～8中任一所述的制備方法，其特征在于，在通入碳源氣體進行正式的射頻濺射前，先僅通入惰性氣體進行預濺射，除去金屬靶表面的雜質。
10.如權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述預濺射中，反應室的真空壓力控制在1～20Pa；惰性氣體的流量為10～50sccm；射頻電源功率為50-150W；預濺射時間為5min。
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