[發明專利]具有防霧功能的復合半導體薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201010103796.5
• 申請日: 2010-01-26
• 公開（公告）號: CN102136307A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 陳傳益;邱正杰;黃瑞明
• 申請（專利權）人: 南美特科技股份有限公司
• 主分類號: H01B1/08
• 分類號: H01B1/08;B32B3/10;B32B9/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種具有防霧功能的復合半導體薄膜，其特征在于，包含：

一第一半導體薄膜，披覆于一基材表面，該第一半導體薄膜由一有機金屬化合物與一碳氫化合物化合而成并以介于300℃至1000℃之間的一第一溫度加熱形成致密結構；以及

一第二半導體薄膜，披覆于該第一半導體薄膜表面，該第二半導體薄膜由該有機金屬化合物、該碳氫化合物與一有機添加物化合而成并以介于300℃至1000℃之間的一第二溫度加熱形成多孔針狀結構，該多孔針狀結構的孔洞大小是介于1奈米至25奈米之間。

2.根據權利要求1所述的復合半導體薄膜，其特征在于，該第一溫度與該第二溫度是介于400℃至600℃之間。

3.根據權利要求1所述的復合半導體薄膜，其特征在于，該有機金屬化合物是選自：(OR)_xM-O-M(OR)_x、(R)_y(OR)_x-yM-O-M(OR)_x-y(R)_y、M(OR)_x、M(OR)_x-y(R)_y、(OR)_xM-O-M(OR)_x，其中，R可為烷(alkyl)基、烯基(alkenyl)，芳基(aryl)、鹵烷基(alkylhalide)、氫(hydrogen)，M為鋁、鐵、鈦、鋯、鉿、硅、銠、銫、鉑、銦、錫、金、鍺、銅或鉭等，x＞y，且x為1.2.3.4.5，y為1.2.3.4.5。

4.根據權利要求1所述的復合半導體薄膜，其特征在于，該碳氫化合物是為醇類、酮類、醚類、酚類、醛類、酯類與胺類之一。

5.根據權利要求1所述的復合半導體薄膜，其特征在于，該有機添加物為多醇類、碳氫化合物以及高分子聚合物之一。

6.根據權利要求1所述的復合半導體薄膜，其特征在于，該第一半導體薄膜與該第二半導體薄膜更通過一表面處理以進行薄膜表面改質。

7.一種具有防霧功能的復合半導體薄膜制備方法，其特征在于，包含以下步驟：

將一有機金屬化合物與一碳氫化合物送入一反應系統中化合形成一第一溶膠，該反應系統的溫度是在25℃至200℃之間；

浸鍍一基材于該第一溶膠中，形成一第一半導體薄膜于該基材表面；

以介于300℃至1000℃的第一溫度加熱該第一半導體薄膜，使該第一半導體薄膜形成致密結構；

再次將該有機金屬化合物、該碳氫化合物與一有機添加物送入該反應系統中化合形成一第二溶膠；

浸鍍該第一半導體薄膜于該第二溶膠中，形成一第二半導體薄膜于該第一半導體薄膜表面；以及

以是介于300℃至1000℃之間的第二溫度加熱該第二半導體薄膜，使該第二半導體薄膜形成多孔針狀結構，該多孔針狀結構的孔洞大小是介于1奈米至25奈米之間。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，該第一溫度與該第二溫度是介于400℃至600℃之間。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，該有機金屬化合物是選自：(OR)_xM-O-M(OR)_x、(R)_y(OR)_x-yM-O-M(OR)_x-y(R)_y、M(OR)_x、M(OR)_x-y(R)_y、(OR)_xM-O-M(OR)_x，其中，R可為烷(alkyl)基、烯基(alkenyl)，芳基(aryl)、鹵烷基(alkylhalide)、氫(hydrogen)，M可為鋁、鐵、鈦、鋯、鉿、硅、銠、銫、鉑、銦、錫、金、鍺、銅或鉭等，x＞y，且x為1.2.3.4.5，y為1.2.3.4.5。

10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，以介于300℃至1000℃的該第一溫度加熱該第一半導體薄膜與該第二半導體薄膜時，更包含一表面處理以進行薄膜表面改質。