[發明專利]一種中子吸收球的制備方法

有效

• 申請號: 201010101755.2
• 申請日: 2010-01-26
• 公開（公告）號: CN101789272A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 林旭平;馬景陶;陳鳳;黃志勇;鄧長生;譚威
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G21C7/24
• 分類號: G21C7/24;G21C7/10;C01B31/04
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王朋飛

1.一種中子吸收球的制備方法，包括下述步驟：將炭素原料和 ?中子吸收材料混合得到的粉料加入到PVA與PEG的混合水溶液中進 行攪拌，混捏過程中加入硼酸，制成糊料；然后經過預壓、擠出成型、 炭化、切割、磨加工、高溫處理和表面包覆處理；

混捏過程中加入硼酸，加入量為粉料總重量的0.1％～2.0％，混捏 過程的溫度為10～100℃，混捏時間為0.5～6小時；

所述粉料按質量百分比包括石墨35％～75％、碳化硼5％～35％， 和任選的，炭黑0～30％；

所述PVA與PEG的混合水溶液中，PVA和PEG的質量百分比 濃度為5％～20％，PVA和PEG質量比為(1～5)∶1。

2.根據權利要求1所述的中子吸收球，其特征在于，所述粉料 與PVA與PEG的混合水溶液的質量比為1∶(1～4)。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預壓的 壓力為200～400MPa，保壓1～10分鐘；所述擠出成型采用的壓力為 150～400Mpa，得到直徑為5～15mm的棒料；其中所述預壓的壓力大 于成型壓力。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述棒料在 氮氣或惰性氣體保護下炭化，以每分鐘1～5℃升溫到700～1600℃，保 溫1～10小時。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高溫處 理過程中，以每分鐘1～20℃的速度升到1600～2300℃，保溫1～24小 時。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用CVI工 藝進行表面包覆處理，處理溫度為800～1300℃。

7.采用權利要求1～6任一項所述方法制備得到的中子吸收球。