[發(fā)明專利]對數(shù)放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010034479.2 | 申請日: | 2010-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN101777876A | 公開(公告)日: | 2010-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙博;楊華中 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F3/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 胡小永 |
| 地址: | 100084北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 對數(shù)放大器 | ||
1.一種對數(shù)放大器,其特征在于,包括:
一個(gè)折疊結(jié)構(gòu)的減法器,所述減法器的第一差分輸入端與所述對 數(shù)放大器的差分輸入端相連接;
N個(gè)折疊結(jié)構(gòu)的放大器,N大于等于1,第一折疊結(jié)構(gòu)的放大器的 差分輸入端與所述減法器的差分輸出端相連接,第N折疊結(jié)構(gòu)的放大 器的差分輸入端與第N-1折疊結(jié)構(gòu)的放大器的差分輸出端相連接,第 N折疊結(jié)構(gòu)的放大器的差分輸出端與所述對數(shù)放大器的差分輸出端 相連接;所述減法器的第一偏置電壓輸入端、各個(gè)所述折疊結(jié)構(gòu)的放 大器的第一偏置電壓輸入端與所述對數(shù)放大器的第一偏置電壓輸入 端相連接,所述減法器的第二偏置電壓輸入端、各個(gè)所述折疊結(jié)構(gòu)的 放大器的第二偏置電壓輸入端與所述對數(shù)放大器的第二偏置電壓輸 入端相連接;
N+2個(gè)電流減法器結(jié)構(gòu)的整流器,第一整流器的差分輸入端與所 述對數(shù)放大器的差分輸入端相連接,第二整流器的差分輸入端與所述 減法器的差分輸出端相連接,第三整流器的差分輸入端與所述第一折 疊結(jié)構(gòu)的放大器的差分輸出端相連接,第N+2整流器的差分輸入端與 所述第N折疊結(jié)構(gòu)的放大器的差分輸出端相連接;各個(gè)所述整流器的 第一偏置電壓輸入端與所述對數(shù)放大器的第三偏置電壓輸入端相連 接,各個(gè)所述整流器的第二偏置電壓輸入端與所述對數(shù)放大器的第四 偏置電壓輸入端相連接,各個(gè)所述整流器的輸出端與所述對數(shù)放大器 的對數(shù)輸出端相連接;
第一可變電容陣列,連接所述對數(shù)放大器的對數(shù)輸出端和電源;
第二可變電容陣列,所述第二可變電容陣列的兩端與所述減法器 的第二差分輸入端相連接,所述第二可變電容陣列的控制字輸入端與 所述第一可變電容陣列的控制字輸入端相連接后,連接到所述對數(shù)放 大器的控制字輸入端;
第一電阻陣列,連接所述對數(shù)放大器的對數(shù)輸出端和電源;
第二電阻陣列,連接所述減法器的第二差分輸入端的同相輸入端 和所述第N折疊結(jié)構(gòu)的放大器的差分輸出端的同相輸出端;
第三電阻陣列,連接所述減法器的第二差分輸入端的反相輸入端 和所述第N折疊結(jié)構(gòu)的放大器的差分輸出端的反相輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的對數(shù)放大器,其特征在于,還包括:
時(shí)間常數(shù)校正電路,所述時(shí)間常數(shù)校正電路的控制字輸出端與所 述第一電容陣列的控制字輸入端和第二電容陣列的控制字輸入端相 連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的對數(shù)放大器,其特征在于,各個(gè)所 述可變電容陣列均包括:
至少四個(gè)NMOS管,其中第一NMOS管的源極、第二NMOS 管的源極與各個(gè)所述可變電容陣列的第一端相連接;其中第三NMOS 管的漏極與第四NMOS管的漏極相連接,所述第一NMOS管的漏極 與所述第三NMOS管的源極相連接,所述第二NMOS管的漏極與所 述第四NMOS管的源極相連接,所述第一NMOS管的柵極與控制字 第一位的輸入端相連接,所述第二NMOS管的柵極與控制字第二位 的輸入端相連接;
至少兩個(gè)反相器,其中第一反相器的輸入端與所述第一NMOS 管的柵極相連接,所述第一反相器的輸出端與所述第三NMOS管的 柵極相連接;其中第二反相器的輸入端與所述第二NMOS管的柵極 相連接,所述第二反相器的輸出端與所述第四NMOS管的柵極相連 接;
至少兩個(gè)電容,其中第一電容連接所述第一NMOS管的漏極和 各個(gè)所述可變電容陣列的第二端,其中第二電容連接所述第二NMOS 管的漏極和各個(gè)所述可變電容陣列的第二端;
兩個(gè)電阻,其中第一電阻連接所述第三NMOS管的漏極和電源, 其中第二電阻連接所述第三NMOS管的漏極和地。
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