[發(fā)明專利]復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010032466.1
• 申請日: 2010-01-14
• 公開（公告）號: CN101769888A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 施云波;趙文杰;周真;修德斌;馮僑華
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱理工大學(xué)
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 23109
• 代理人: 榮玲

1.復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl₂敏感材料In₂O₃/Nb₂O₅/Pt的制備方法，其特征在于 復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl₂敏感材料In₂O₃/Nb₂O₅/Pt的制備方法按照以下步驟進行：

一、按照18∶1的摩爾比稱取InCl₃·4H₂O和Nb₂O₅，先稱取的InCl₃完全 溶解于去離子水中得到InCl₃溶液，稱取的Nb₂O₅加入到體積濃度為18～22％ 的HNO₃中，過濾后與InCl₃溶液進行攪拌混合，再加入質(zhì)量濃度為22％～28％ 的NaOH調(diào)節(jié)混合物的pH值至7.8～8.2，然后在48～52℃條件下攪拌4.8～ 5.2h，即得到共沉積混合物，其中InCl₃·4H₂O與去離子水的質(zhì)量比為2.93∶500， Nb₂O₅與HNO₃的質(zhì)量比為1∶3；

二、共沉積混合物在轉(zhuǎn)速為3000～5000r/min的條件下離心20～30min， 去上清液，然后用去離子水清洗離心得到的沉淀物至pH值為7，然后進行抽 濾，抽濾后的沉淀物在115～125℃條件下真空干燥4～5h；

三、將步驟二干燥后的產(chǎn)物在600℃～700℃條件下燒結(jié)2～3h，然后進行 研磨，研磨時間為60～90min，即得到In₂O₃/Nb₂O₅納米粉體；

四、向In₂O₃/Nb₂O₅納米粉體中加入重量百分比濃度為3％～5％的H₂PtCl₆混合，然后再加入松油醇調(diào)成漿狀物，In₂O₃/Nb₂O₅納米粉體、H₂PtCl₆和松油 醇的質(zhì)量比為100∶4∶10，漿狀物經(jīng)過絲網(wǎng)印刷、涂膜于電極上，在室溫條 件干燥22～26h，然后在500～700℃條件下燒結(jié)2～3h，即得到了復(fù)合納米半 導(dǎo)體Cl₂敏感材料In₂O₃/Nb₂O₅/Pt。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl₂敏感材料In₂O₃/Nb₂O₅/Pt的 制備方法，其特征在于步驟一中加入質(zhì)量濃度為25％的NaOH調(diào)節(jié)混合物的 pH值至8。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl₂敏感材料In₂O₃/Nb₂O₅/Pt 的制備方法，其特征在于步驟一中在50℃條件下攪拌5h。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl₂敏感材料In₂O₃/Nb₂O₅/Pt的 制備方法，其特征在于步驟二中在轉(zhuǎn)速為4000r/min的條件下離心30min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl₂敏感材料 In₂O₃/Nb₂O₅/Pt的制備方法，其特征在于步驟二中在120℃條件下真空干燥5h。