[發明專利]線路基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201010003000.9 | 申請日: | 2010-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN102131347A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發明(設計)人: | 曾子章;李長明;劉文芳;余丞博 | 申請(專利權)人: | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/00 | 分類號: | H05K3/00;H05K3/40;H05K3/46;H05K1/02;H05K1/11 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 魏曉剛 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線路 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明是有關于一種線路基板及其制作方法,且特別是有關于一種提高制程能力的高密度線路基板及其制作方法。
背景技術
目前細線路、高密度的線路基板的制作方法,是使用半加成方法形成所需的線路層,而半加成方法依絕緣材料特性不同主要區分為ABF(Ajinomotobuild-up?film)膜及非ABF膜的半加成法。
ABF膜表面經粗化后可直接制作導電層,后續再實施半加成的光刻、電鍍、去膜以及蝕刻等步驟,以形成微細線路的線路層。但受限于絕緣材料必須為ABF膜,因此成本高。
利用非ABF膜的制作方法是在其表面先壓合一薄銅層,后續再實施半加成的光刻、電鍍、去膜以及蝕刻等步驟,以形成微細線路的線路層。但受限于薄銅層不易附著在非ABF膜上,造成利用非ABF膜的制程能力較使用ABF膜的制程能力低。因此目前的半加成方法,除了特殊材料的ABF膜可在無底銅的情況下進行電鍍之外,其他的作法仍以底銅加上電鍍銅為主。
發明內容
本發明提供一種線路基板及其制作方法,以提高制程能力。
本發明提供一種線路基板及其制作方法,不需使用特殊材料的ABF膜,以降低成本。
本發明提供一種線路基板的制作方法,包括下列步驟。首先,形成一介質層在一基板的至少一表面上。形成一絕緣層在介質層上。接著,移除部分絕緣層以及介質層,以形成至少一盲孔在介質層以及絕緣層中。形成一化學鍍層在盲孔的內壁上以及未移除的絕緣層上,其中絕緣層與化學鍍層之間的接合能力大于介質層與化學鍍層之間的接合能力。之后,電鍍一圖案化導電層,以覆蓋化學鍍層。
本發明提供一種線路基板,包括一基板、一介質層、一絕緣層、一化學鍍層、一圖案化導電層以及一電性連接墊。介質層配置在基板的至少一表面上。絕緣層配置在介質層上。化學鍍層覆蓋部分絕緣層以及至少一盲孔的內壁上,其中盲孔形成在介質層以及絕緣層中,絕緣層與化學鍍層之間的接合能力大于介質層與化學鍍層之間的接合能力。圖案化導電層配置在化學鍍層上及盲孔中。電性連接墊配置在基板的表面,而圖案化導電層經由盲孔與電性連接墊電性連接。
在本發明的一實施例中,上述介質層為熱固性樹脂。
在本發明的一實施例中,上述介質層的材質包括環氧樹脂或玻纖環氧樹脂。
在本發明的一實施例中,上述絕緣層為熱塑性樹脂。
在本發明的一實施例中,上述絕緣層的材質包括聚碳酸酯、聚酯或聚酰亞胺樹脂。
在本發明的一實施例中,上述形成絕緣層在介質層上之后,還包括對絕緣層進行一表面粗化處理。
在本發明的一實施例中,上述形成絕緣層的方法包括涂布或噴印。
在本發明的一實施例中,上述形成至少一盲孔的方法包括激光成孔。
在本發明的一實施例中,上述形成至少一盲孔時,還包括顯露出位于盲孔下方的一電性連接墊,電性連接墊位于基板的表面上。
在本發明的一實施例中,上述電鍍圖案化導電層之前,還包括形成一圖案化光阻層在化學鍍層上。
在本發明的一實施例中,上述電鍍圖案化導電層之后,還包括移除圖案化光阻層以及未被圖案化導電層覆蓋的化學鍍層。
在本發明的一實施例中,上述化學鍍層的材質選自銅、鎳、銀、鉻及錫所組成的群組中其中一種金屬。
在本發明的一實施例中,上述圖案化導電層的材質包括銅。
基于上述,本發明的線路基板及其制作方法中,先形成一絕緣層在介質層上,且絕緣層與化學鍍層之間的接合能力大于介質層與化學鍍層之間的接合能力,之后再形成化學鍍層于絕緣層上,以提高制程能力。
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1A~圖1F為本發明一實施例的線路基板的制作方法的流程圖。
圖2為本發明一實施例的線路基板的示意圖。
主要元件符號說明
10:線路基板
100:基板
100a、100b:表面
102:電性連接墊
104:圖案化線路
110:介質層
120:絕緣層
130:化學鍍層
140:圖案化導電層
150:圖案化光阻層
152:開口
130a:化學鍍層
C:盲孔
具體實施方式
圖1A~圖1F為本發明一實施例的線路基板的制作方法的流程圖。圖2為本發明一實施例的線路基板的示意圖。
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