[發(fā)明專利]放射線檢測器的制造方法、放射線檢測器以及放射線攝像裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980159679.6
• 申請日: 2009-04-03
• 公開（公告）號: CN102460215A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 德田敏;岡本保;岸原弘之;貝野正知;吉牟田利典;田邊晃一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社島津制作所;獨立行政法人國立高等專門學(xué)校機(jī)構(gòu)
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;H01L31/09
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種放射線檢測器，具備將放射線變換為電荷信號的變換層，該放射線檢測器的特征在于，

上述變換層是Zn濃度為1mol％以上且5mol％以下而Cl濃度為1ppmwt以上且3ppmwt以下的Cl摻雜CdZnTe多晶化合物半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測器，其特征在于，

上述變換層是Zn濃度為1mol％以上且2mol％以下而Cl濃度為1ppmwt以上且2ppmwt以下的Cl摻雜CdZnTe多晶化合物半導(dǎo)體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的放射線檢測器，其特征在于，

在上述變換層的單面或者兩面上形成有載流子注入阻止層，該載流子注入阻止層阻止電子或者空穴向上述變換層注入。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放射線檢測器，其特征在于，

上述載流子注入阻止層為n型半導(dǎo)體層或者p型半導(dǎo)體層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的放射線檢測器，其特征在于，

還具備有源矩陣基板，該有源矩陣基板針對將上述變換層分割為二維矩陣狀而得到的每個檢測元件讀取上述電荷信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放射線檢測器，其特征在于，

通過連接電極將層疊有上述變換層的相對基板與上述有源矩陣基板連接。

7.一種放射線攝像裝置，其特征在于，具備：

放射線照射單元，其向被檢體照射放射線；

放射線檢測器，其將透過了被檢體的放射線在變換層中變換為電荷信號，并且將上述電荷信號作為電信號而發(fā)送；以及

圖像處理部，其基于上述電信號來構(gòu)成被檢體的放射線透過圖像，

其中，上述變換層是Zn濃度為1mol％以上且5mol％以下而Cl摻雜濃度為1ppmwt以上且3ppmwt以下的Cl摻雜CdZnTe多晶化合物半導(dǎo)體層。

8.一種放射線檢測器的制造方法，該放射線檢測器具備將放射線變換為電荷信號的變換層，該制造方法的特征在于，

使用近空間升華法來形成Zn濃度為1mol％以上且5mol％以下而Cl摻雜濃度為1ppmwt以上且3ppmwt以下的Cl摻雜CdZnTe多晶化合物半導(dǎo)體層作為上述變換層。