[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980158002.0 | 申請日： | 2009-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN102349167A | 公開（公告）日： | 2012-02-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 大田豐;大鹿嘉和 | 申請（專利權(quán)）人： | 同和電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/40 | 分類號： | H01L33/40;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其具有半導(dǎo)體層壓體以及n側(cè)電極和p側(cè)電極，所述半導(dǎo)體層壓體包括n型層壓體、發(fā)光層和p型層壓體，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的特征在于：
所述n型層壓體包括由AlxGa1-xN材料(0.7≤x≤1.0)制成的n接觸層和設(shè)置于所述n接觸層上的n包覆層；和
在所述n接觸層的發(fā)光層側(cè)的局部露出部上設(shè)置由AlyGa1-yN材料(0≤y≤0.5)制成的中間層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其進(jìn)一步包括在所述發(fā)光層和所述p型層壓體之間的電子阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中在所述n接觸層和所述n側(cè)電極之間的電阻等于或小于10Ω，和外部量子效率等于或高于0.70％。
4.一種生產(chǎn)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其包括以下步驟：
通過在基板上依次順序生長包括n接觸層和n包覆層的n型層壓體、發(fā)光層及包括p包覆層和p接觸層的p型層壓體來形成半導(dǎo)體層壓體；
在所述n接觸層上形成中間層和n側(cè)電極；和
在所述p接觸層上形成p側(cè)電極，
其中，所述n接觸層由AlxGa1-xN材料(0.7≤x≤1.0)形成，和所述中間層由AlyGa1-yN材料(0≤y≤0.5)形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的生產(chǎn)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其進(jìn)一步包括通過干法蝕刻將所述n接觸層的發(fā)光層側(cè)的一部分露出，然后通過MOCVD法使所述AlyGa1-yN材料在所述n接觸層的露出部上生長。
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