[發明專利]電容隔離的失配補償型讀出放大器有效
| 申請號: | 200980152021.2 | 申請日: | 2009-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN102265396A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | J·E·小巴特 | 申請(專利權)人: | 國際商業機器公司 |
| 主分類號: | H01L27/108 | 分類號: | H01L27/108 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 于靜;楊曉光 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 隔離 失配 補償 讀出 放大器 | ||
1.一種器件,包括:
第一放大器級,其上施加有一輸入信號;
其中所述第一放大器級包括并聯的隔離電容器和電容器分流開關,所述輸入信號施加到所述隔離電容器和所述電容器分流開關,并且其中所述隔離電容器和所述電容器分流開關的輸出端在信號節點處連接,其中所述第一放大器級還包括連接至所述信號節點的反相器以及連接在所述信號節點與所述反相器的輸出端之間的反相器分流開關。
2.如權利要求1中所述的器件,其中所述輸入信號在來自DRAM存儲器單元陣列的位線上,并且其中所述第一放大器級包括用于所述DRAM存儲器單元陣列的讀出放大器。
3.如權利要求2中所述的器件,還包括寫回開關,其連接至所述第一放大器級的輸出端并提供連接至所述位線的輸出端,其中當選擇性地閉合所述寫回開關時,增強電壓值被施加到所述位線。
4.如權利要求1中所述的器件,還包括第二放大器級,其具有與所述第一放大器級的輸出端連接的輸入端,所述第二放大器級具有并聯的隔離電容器和電容器分流開關,并且其中所述隔離電容器和所述電容器分流開關的輸出端在信號節點處連接,其中所述第二放大器級還包括連接至所述信號節點的反相器以及連接在所述信號節點與所述反相器的輸出端之間的反相器分流開關。
5.如權利要求4中所述的器件,其中在所述第一和第二放大器級的預設工作時段內,所述第一放大器級的所述信號節點與所述第二放大器級的所述信號節點之間的電壓差具有排除由所述輸入信號上的電壓值所代表的二進制邏輯電平的任何錯誤讀數的值。
6.一種讀出放大器,包括:
第一放大器級,其上施加有一輸入信號,其中所述第一放大器級包括并聯的隔離電容器和電容器分流開關,所述輸入信號施加到所述隔離電容器和所述電容器分流開關,并且其中所述隔離電容器和所述電容器分流開關的輸出端在信號節點處連接,其中所述第一放大器級還包括連接至所述信號節點的反相器以及連接在所述信號節點與所述反相器的輸出端之間的反相器分流開關,并且其中所述輸入信號在來自存儲器單元陣列的位線上;以及
第二放大器級,其具有與所述第一放大器級的輸出端連接的輸入端,所述第二放大器級具有并聯的隔離電容器和電容器分流開關,并且其中所述隔離電容器和所述電容器分流開關的輸出端在信號節點處連接,其中所述第二放大器級還包括連接至所述信號節點的反相器以及連接在所述信號節點與所述反相器的輸出端之間的反相器分流開關。
7.如權利要求6中所述的讀出放大器,還包括寫回開關,其連接至所述第二放大器級的輸出端并提供連接至所述位線的輸出端,其中當選擇性地閉合所述寫回開關時,增強電壓值被施加到所述位線。
8.如權利要求6中所述的讀出放大器,其中在所述第一和第二放大器級的預設工作時段內,所述第一放大器級的所述信號節點與所述第二放大器級的所述信號節點之間的電壓差具有排除由所述輸入信號上的電壓值所代表的二進制邏輯電平的任何錯誤讀數的值。
9.如權利要求6中所述的讀出放大器,其中在信號發展工作模式期間,所述第一和第二放大器級被浮置并且所述存儲器單元陣列中的一個選定存儲器單元將其存儲的電荷量轉移至所述位線,其中所述第一放大器級的所述隔離電容器將所述位線上的任何電荷轉移至所述第一放大器級的讀出節點。
10.如權利要求6中所述的讀出放大器,其中所述存儲器單元陣列包括DRAM存儲器單元陣列。
11.一種放大器,包括:
并聯的隔離電容器和電容器分流開關,并且輸入信號施加到所述隔離電容器和所述電容器分流開關,其中所述隔離電容器和所述電容器分流開關的輸出端在信號節點處連接;以及
反相器,其連接至所述信號節點,以及反相器分流開關,其連接在所述信號節點與所述反相器的輸出端之間。
12.如權利要求11中所述的放大器,其中所述輸入信號在來自存儲器單元陣列的位線上。
13.如權利要求11中所述的放大器,其中所述存儲器單元陣列包括DRAM存儲器單元陣列。
14.如權利要求12中所述的放大器,其中所述放大器包括用于所述存儲器單元陣列的讀出放大器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





