[發(fā)明專利]最小化對(duì)存儲(chǔ)器陣列及支持電路的位干擾及電壓耐受要求的用于對(duì)N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行編程及擦除的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980149577.6
• 申請(qǐng)日: 2009-12-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102246239A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杰弗里·A·希爾茲;肯特·D·休依特;唐納德·S·格伯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 密克羅奇普技術(shù)公司
• 主分類號(hào): G11C16/04
• 分類號(hào): G11C16/04;G11C16/16;G11C16/12
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 孟銳

1.一種擦除存儲(chǔ)器陣列中的多個(gè)存儲(chǔ)器段中的選定存儲(chǔ)器段的方法，所述存儲(chǔ)器陣列包括位于P型襯底內(nèi)的深N阱中的多個(gè)P阱，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的每一者駐存于所述多個(gè)P阱中的相應(yīng)P阱內(nèi)，所述方法包括以下步驟：

將所述深N阱設(shè)定為約4伏；

將所述多個(gè)P阱中的選定P阱設(shè)定為約4伏；

將所述多個(gè)P阱中的未選P阱設(shè)定為約-7伏；

將多個(gè)字線中的選定字線設(shè)定為約-11伏；

將所述多個(gè)字線中的未選字線設(shè)定為約零伏；

將所述多個(gè)P阱中的所述選定P阱中的第一多個(gè)位線設(shè)定為約4伏；

將所述多個(gè)P阱中的所述未選P阱中的第二多個(gè)位線設(shè)定為約零伏；

將與所述多個(gè)P阱中的所述選定P阱相關(guān)聯(lián)的第一源極選擇柵極線設(shè)定為約4伏；

將與所述多個(gè)P阱中的所述選定P阱相關(guān)聯(lián)的第一源極選擇漏極線設(shè)定為約4伏；

將與所述多個(gè)P阱中的所述未選P阱相關(guān)聯(lián)的第二源極選擇柵極線設(shè)定為約-7伏；

將與所述多個(gè)P阱中的所述未選P阱相關(guān)聯(lián)的第二源極選擇漏極線設(shè)定為約-7伏；

其中擦除所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的位于所述多個(gè)P阱中的所述選定P阱內(nèi)且耦合到所述多個(gè)字線中的所述選定字線的所述選定存儲(chǔ)器段。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的所述選定存儲(chǔ)器段包括每字節(jié)八個(gè)位。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的未選存儲(chǔ)器段耦合到所述多個(gè)字線中的所述未選字線。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的所述未選存儲(chǔ)器段位于所述多個(gè)P阱中的所述未選P阱內(nèi)。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的方法，其中使所述第一多個(gè)位線浮動(dòng)而非設(shè)定為約4伏。

6.一種對(duì)存儲(chǔ)器陣列中的多個(gè)存儲(chǔ)器段中的選定存儲(chǔ)器段進(jìn)行編程的方法，所述存儲(chǔ)器陣列包括位于P型襯底內(nèi)的深N阱中的多個(gè)P阱，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的每一者駐存于所述多個(gè)P阱中的相應(yīng)P阱內(nèi)，所述方法包括以下步驟：

將所述深N阱設(shè)定為約4伏；

將所述多個(gè)P阱中的一者設(shè)定為約-11伏；

將所述多個(gè)P阱中的其它P阱設(shè)定為約-7伏；

將多個(gè)字線中的一者設(shè)定為約4伏；

將所述多個(gè)字線中的其它字線設(shè)定為約-7伏；

將多個(gè)位線中的至少一者設(shè)定為約-11伏；

將所述多個(gè)位線中的其它位線設(shè)定為約零伏；

將與所述多個(gè)P阱中的所述一者相關(guān)聯(lián)的第一源極選擇柵極線設(shè)定為約-11伏；

將與所述多個(gè)P阱中的所述一者相關(guān)聯(lián)的第一源極選擇漏極線設(shè)定為約-11伏；

將與所述多個(gè)P阱中的所述其它P阱相關(guān)聯(lián)的第二源極選擇柵極線設(shè)定為約-7伏；及

將與所述多個(gè)P阱中的所述其它P阱相關(guān)聯(lián)的第二源極選擇漏極線設(shè)定為約-7伏，

其中對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的耦合到所述多個(gè)字線中的所述一者及所述多個(gè)位線中的所述至少一者的所述選定存儲(chǔ)器段進(jìn)行編程。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的選定至少一者的數(shù)目包括每字節(jié)位的任一正整數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的未選存儲(chǔ)器段耦合到所述多個(gè)字線中的未選字線。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求6到8中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的未選存儲(chǔ)器段位于所述多個(gè)P阱中的未選P阱內(nèi)。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求6到9中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器段中的所述選定至少一者包括每字節(jié)八個(gè)位。