[發(fā)明專利]從靜電夾盤對晶片解除箝制

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980149402.5
• 申請日: 2009-12-10
• 公開（公告）號: CN102246289A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 阿施文·普魯黑特;威廉·D·李;馬文·拉封丹;理查德·澤祖特
• 申請（專利權(quán)）人: 艾克塞利斯科技公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種用于解除對晶片的箝制的方法，該晶片通過箝制電壓而電粘附至靜電夾盤的表面，該方法包括：

撤銷該箝制電壓；

在該撤銷之后的一段時間上，將該晶片的第一區(qū)域從靜電夾盤的表面提升第一距離，同時晶片的第二區(qū)域保持粘附至靜電夾盤的表面；

在該段時間期間監(jiān)視預(yù)定條件；以及

當(dāng)滿足該預(yù)定條件時，將第二區(qū)域從靜電夾盤的表面提升。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中監(jiān)視預(yù)定條件包括：

確定在該晶片與該靜電夾盤之間測量的電容與閾值相比是否是有利的。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中監(jiān)視預(yù)定條件包括：

提供交流(AC)電壓以測量在該晶片與該靜電夾盤之間的電容；以及

比較該測量到的電容與閾值。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中監(jiān)視預(yù)定條件包括：

確定所述時間與預(yù)定期滿時間相比是否是有利的。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一距離大于大約0.1毫米且小于大約5毫米。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中箝制電壓為直流(DC)電壓。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中箝制電壓為交流(AC)電壓。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中AC電壓為多相AC電壓，其建立用于將該晶片粘附至該靜電夾盤的表面的近似恒定力。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一區(qū)域?qū)?yīng)于晶片的外邊緣區(qū)域。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中第二區(qū)域?qū)?yīng)于晶片的中心區(qū)域。

11.一種用于處理晶片的系統(tǒng)，包括：

靜電夾盤，包括可操作以在晶片與靜電夾盤的表面之間提供靜電箝制力的一個或多個電極；

電源，被配置為將箝制電壓提供至該一個或多個電極；以及

提升組件，被適配為在第一時間期間將晶片的第一區(qū)域從靜電夾盤的表面提升第一距離，同時晶片的第二區(qū)域保持在該表面上，且進一步被適配為當(dāng)滿足預(yù)定條件時從該表面提升整個晶片；

控制器，被適配為監(jiān)視所述預(yù)定條件，且在滿足該預(yù)定條件時將控制信號提供至提升組件以從該表面提升整個晶片。

12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中提升組件為機械提升組件。

13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中機械提升組件包括至少一個插腳，該至少一個插腳被適配為從靜電夾盤的所述表面可移動地延伸以從該表面提升晶片。

14.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中組件包括臂，該臂被適配為抓住晶片且從靜電夾盤的表面提升該晶片。

15.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中提升組件包括以下中至少一個：被適配為提供靜電力以提升晶片的靜電提升組件，或被適配為提供磁力以提升晶片的磁性提升組件。

16.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中提升組件包括被適配為提升晶片的加壓氣體供應(yīng)器。

17.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中靜電夾盤的表面包括平板。

18.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中控制器被適配為通過確定在晶片與靜電夾盤之間測量的電容與閾值相比是否有利，來監(jiān)視預(yù)定條件。

19.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中控制器被適配為通過確定自所述第一時間起測量的時間與預(yù)定期滿時間相比是否有利，來監(jiān)視預(yù)定條件。

20.一種用于解除半導(dǎo)體晶片的箝制的方法，該半導(dǎo)體晶片通過箝制電壓而電粘附至靜電夾盤的表面，該方法包括：

撤銷箝制電壓；

在該撤銷之后的一段時間上，將晶片的第一區(qū)域從靜電夾盤的表面機械地提升，同時晶片的第二區(qū)域保持粘附至靜電夾盤的表面；

在該段時間期間監(jiān)視晶片與靜電夾盤之間的電容；及

當(dāng)該電容與閾值水平有利地相關(guān)時，將晶片的第二區(qū)域從靜電夾盤的表面提升，以將晶片從靜電夾盤完全移除。