[發(fā)明專利]發(fā)射輻射的器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980145223.4
• 申請日: 2009-11-05
• 公開（公告）號: CN102216365A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西格弗里德·赫爾曼;塞巴斯蒂安·塔格爾
• 申請（專利權(quán)）人: 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號: C08G61/10
• 分類號: C08G61/10;H01L31/0216
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種發(fā)射輻射的器件，包括：

—支承體(1)；

—設(shè)置在支承體(1)上的半導(dǎo)體芯片(2)，其中所述半導(dǎo)體芯片(2)具有用于產(chǎn)生電磁輻射的有源層和輻射出射面(3)；

—第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)(4a，4b)，用于電接觸所述半導(dǎo)體芯片(2)；

—第一接觸層(21)和第二接觸層(6)，其中所述半導(dǎo)體芯片(2)通過第一接觸層(21)與第一接觸結(jié)構(gòu)(4a)導(dǎo)電連接，以及通過第二接觸層(6)與第二接觸結(jié)構(gòu)(4b)導(dǎo)電連接；

—設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片(2)上的鈍化層(5)，其中鈍化層(5)包括有機(jī)聚合物，所述有機(jī)聚合物具有通式(I)：

其中殘基R¹至R¹⁶能夠分別彼此獨(dú)立地為H、CH₃、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)射輻射的器件，其中R¹、R²、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹⁵和R¹⁶分別代表H。

3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中鈍化層(5)的至少部分區(qū)域是所述器件的最外層。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中鈍化層(5)設(shè)置在輻射出射面(3)上。

5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中在半導(dǎo)體芯片(2)的輻射出射面(3)上設(shè)置有至少一個(gè)光學(xué)元件(9)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)射輻射的器件，其中所述光學(xué)元件(9)包括轉(zhuǎn)換層或者濾光器。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的發(fā)射輻射的器件，其中鈍化層(5)至少設(shè)置在光學(xué)元件(9)的背離半導(dǎo)體芯片(2)的表面的部分區(qū)域上。

8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中鈍化層(5)將第一接觸結(jié)構(gòu)(4a)相對于第二接觸結(jié)構(gòu)(4b)電絕緣。

9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中鈍化層(5)將第二接觸層(6)相對于第一接觸結(jié)構(gòu)(4a)電絕緣。

10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中第二接觸層(6)框架狀地設(shè)置在半導(dǎo)體芯片(2)的輻射出射面(3)上。

11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中第二接觸層(6)具有接觸接片(61)，所述接觸接片設(shè)置在半導(dǎo)體芯片(2)的輻射出射面(3)上。

12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中通過支承體(1)存在第一穿通接觸部和第二穿通接觸部(8a，8b)，并且第一穿通接觸部(8a)與第一接觸結(jié)構(gòu)(4a)導(dǎo)電連接，而第二穿通接觸部(8b)與第二接觸結(jié)構(gòu)(4b)導(dǎo)電連接。

13.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的發(fā)射輻射的器件，其中所述器件成形為薄膜芯片。

14.一種用于制造發(fā)射輻射的器件的方法，包括如下方法步驟：

A)提供具有第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)(4a，4b)的支承體(1)；

B)通過第一接觸層(21)將半導(dǎo)體芯片(2)與第一接觸結(jié)構(gòu)(4a)機(jī)械地并且導(dǎo)電地連接；

C)通過第二接觸層(6)將半導(dǎo)體芯片(2)與第二接觸結(jié)構(gòu)(4b)機(jī)械地并且導(dǎo)電地連接；

D)在半導(dǎo)體芯片(2)的至少部分區(qū)域上施加鈍化層(5)；

其中針對鈍化層(5)使用包括有機(jī)聚合物的材料，所述有機(jī)聚合物具有通式(I)：

其中殘基R¹至R¹⁶能夠分別彼此獨(dú)立地為H、CH₃、F、Cl或者Br，并且n具有10至500,000的值。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中借助等離子體方法來施加鈍化層(5)。